半导体硅片的化学清洗技术课程.docVIP

半导体硅片的化学清洗技术 关键词：  HYPERLINK /tag/%B0%EB%B5%BC%CC%E5 \t _blank 半导体 ??  HYPERLINK /tag/%B9%E8%C6%AC \t _blank 硅片 ??  HYPERLINK /tag/%BB%AF%D1%A7%C7%E5%CF%B4 \t _blank 化学清洗 ?? ?????????????????????????????????????? 半导体硅片的化学清洗技术 一. 硅片的化学清洗工艺原理 　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污：　　a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面