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变温霍尔效应 实验日期：2013/10/18指导老师：何琛娟 【摘要】本实验我们研究了样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化情况。在实验中，我们利用液氮作为冷源控制温度。在磁场强度与电流强度恒定，不同温度条件下测样品的霍尔电压以计算变温情况下的霍尔系数，画出温度80—300k范围内样品的 QUOTE lnRH-1T 和曲线。并通过曲线来研究禁带宽度、载流子浓度、迁移率等特征参数。 关键词：液氮 控温 载流子 霍尔效应 副效应 引言 对通电的导体或半导体施加一与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现,这个现象于1879年被物理学家霍尔发现，故称为“霍尔效应”。霍尔系数与电导率的测量是分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍是研究半导体性质的重要实验方法。 本实验中利用霍尔效应，采用范德堡测试方法，测量锑化铟的霍尔系数及电导率随温度的变化。可以确定一些特征参数——禁带宽度、杂质电离能，电导率，载流子浓度，材料纯度及迁移率，从而讨论导电类型，导电机理和散射机理。 原理 半导体内的载流子 根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本证激发和杂质电离。 本证激发 在一定温度下，由于原子的热运动，价键中的电子能够获得足够的能量，摆脱共价键的束缚成为自由电子。这时在原来的共价键上就留下了一个电子空位，邻键上的电子随时可以跳过来填充这个空位，从而使空位转移到邻键上去，因此空位也是可以移动的，这种空位被称为空穴。半导体有两种载流子，即电子和空穴。 从能带来看，填充价带的电子摆脱共价键的束缚形成一对电子和空穴的过程就是一个电子从价带到导带的量子跃迁过程。其结果是使导带中增加一个电子，而在价带中出现一个空能级。处于导带中的电子就是导电的电子，而原来填满的价带中的空能级就是导电的空穴，空穴导电的过程其实是多个价带中电子参与导电的过程。 纯净的半导体中费密能级位置和载流子浓度只是由材料本身的本征性质决定的，这种半导体称为本征半导体。在本征半导体中电子和空穴的浓度保持相等，即，则本征载流子浓度。这种载流子产生的过程叫做本征激发。由经典的玻尔兹曼统计可得： 。式中为常数，为绝对温度，为玻尔兹曼常数，为禁带宽度，作曲线，可求出禁带宽度 （1） 杂质电离 绝大多数的半导体材料都含有一定量的浅杂质，不同的杂质将会改变半导体中电子或空穴的浓度。若所掺杂质的价态小于基质的价态，这种杂质很容易从价带中接受电子成为离子，而在价带中留下空穴，成空穴导电性，这种杂质是受主杂质，产生一个空穴所需的能量为杂质电离能，相应能量为受主能级。这种受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做型半导体。若所杂质的价态大于基质的价态，在和基质原子键合时就会多余出电子，这种电子很容易在外界能量的作用下脱离原子的束缚成为自由运动的电子，所以它的能级处在禁带中靠近导带底的位置，这种杂质称为施主杂质。施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做型半导体。本实验中主要研究型半导体。 在这一过程中，电子从高能态的导带回到低能态的价带，多余的能量以热辐射的形式或光辐射的形式放出。载流子的浓度和运动状态对半导体的导电性质和发光性质等起到关键的作用。 霍尔效应 霍尔效应 霍尔效应是一种电流磁效应，如图一所示，当样品通以电流I时，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差： 图一霍尔效应示意图 与样品的厚度成反比，与磁感应强度和电流成正比，比例系数叫做霍尔系数。，其中，，，的单位分别为V，m，A，T。 霍尔电位差是这样产生的：当电流通过样品（假设为P型），空穴有一定得漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛伦兹力 。 洛伦兹力使电荷产生横向偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子停在边界积累起来，产生一个横向电场E，直到电场对载流子的作用力F=qE与磁场作用的洛伦兹力相抵消为止，即：。这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍尔电场就是由这个电场建立起来的。 一种载流子导电的霍尔系数 由于实际的载流子运动的速度是遵循麦克斯韦速度分布，且不断受到晶格和电离杂质散射的影响，因此计算时应对其进行修正： 型半导体：， 型半导体：， 其中为电子电荷，和分别是电子和空穴的电导迁移率，为霍尔迁移率。 对单一载流子导电的情况，载流子浓度 （2） 两种载流子导电的霍尔系数 假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场（，为迁移率，单位为，的单位为）的条件下，对于电子和空穴混合导电的半导体，可以证明： 其中 （3） 型半导体的变温霍尔系数 型半导体与型半导体的霍耳系数随时间变化曲线对