第20次课6-2(微机原理)精编.pptVIP

6.1存储器的概念、分类、特点和性能指标 6.2半导体存储器（RAM和ROM） 6.3存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 6.4 存储器系统设计;主要用来存放当前运行的程序、各种输入输出数据、中间运算结果、堆栈等； 其内容既可随时读出，也可随时写入和修改； 掉电后内容会全部丢失； 静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息； 动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息。 ; T3、T4是负载管，T1、T2为工作管， T5、T6、 T7、T8是控制管。 当行线X和列线Y都为高电平时， T5、T6、 T7、T8均导通，表示该单元被选中，可以对其进行读写操作。;16×1的存储器 A3 A2 A1 A0 ＝0000，则A1 A0经行地址译码使0# 行线高电平， A3 A2经列地址译码使0# 列线高电平，于是0#基本存储电路被选中。 若CS为低电平，此芯片被选中，WE高为读，低为写； CS为高电平，则三态门1、2、3均断开，此芯片不工作。;SRAM的基本结构;a)静态RAM存储器芯片Intel 2114;;6264（SRAM）的引脚;;DRAM的基本单元 动态RAM是以MOS管栅极和源级间的级间电容是否充有电荷来存储信息的。它由T管和电容C组成。 由于只用一个管子，所以功耗很低，可以做得集成度很高，而且价格便宜。;① 读操作时，T管导通，存储在C上的信息通过T管送到读出线上，放大后即可得到存储的信息。C上的信息被读出后，其寄存的电压降低，所以这是一种破坏性读出，读出后必须重写。 ② 写操作时，行选和列选有效时，管子导通，待写入的信息由数据线存入C 。;二、只读存储器（ROM）;掩膜ROM由厂家制成后，用户不能修改。4×4位MOS型ROM，采用单向译码结构。若地址为10，则选中2号单元，输出为1001。; 可编程只读存储器PROM可 根据用户要求写入存储信息，但 只能写一次。厂家出厂时，交叉 点处均有二极管或三极管，用户 可以利用外部地址对存储矩阵的 管子进行选择，如一些被烧断， 其余保持原状，这样就完成了编 程，但一旦写入，则无法更改， 是一次性写入的ROM。 它几乎被EPROM或闪存代替。; EPROM基本单元大多采用浮栅MOS管，如下图。初始时浮栅上没有电荷，管子内没有导电沟道，S (源极)和D (漏极)不导通。写入0时，在D和S间加上较高压，另外加编程脉冲，D和S之间瞬时产生雪崩击穿，大量电子穿过绝缘层注入到浮动栅，当高电压撤去后，由于浮栅被绝缘层所包围，注入电子在室温、无光照下可以长期保存在浮栅中。于是在D和S之间形成了导电沟道，EPROM单元导通，存储电路输出为“0”。; EPROM虽可多次编程，但即使内部只有一位数据有错误，都必须重写，而且要用紫外线照射，使用不太方便。 近年来出现的电可擦除可编程的只读存储器EEPROM (E2PROM )能以字节为单位擦除和改写，擦除时间短（ms级)可在线读写，给用户带来极大的方便。;2764（EPROM）的引线、功能;6.2半导体存储器（RAM和ROM）;6.3存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接;6264芯片与系统的连接;2、译码电路;地址译码方式：;全地址译码;;部分地址译码举例;部分地址译码举例;应用举例;74LS138的真值表：（注意：输出低电平有效） 可以看出，当译码允许信号有效时，Yi是输入A、B、C的函数，即 Y=f(A,B,C);