第二章LED的光取出原理及方法精编.pptVIP

第二章 LED的光取出原理及方法;内容;目前LED的发光效率仍然很低，有待进一步改进。;白光LED的价位目标 ;LED的发光效率ηR= ηint×Cex ×ηv，即要提高LED的发光效率，得同时提高其内部量子效率、光取出效率和电压效率。 ηv一般为0.75-0.97，通过掺杂和良好的欧姆接触加以改进。 质量好的双异质结的内部量子效率即可达到99%，取决于外延层结构及工艺。 因此绝大部分能量损失在光取出环节，这也是提高LED发光效率的关键。;LED光由活性层产生，经窗口层再进入空气。;Cex的三种光损失机制： Cex= ηA× ηFr × ηer ηA为材料再吸收而产生的损失 ηFr为菲涅尔损失，即光在不同折射率材料的界面反射损失。 ηer为全反射角损失，入射角大于临界角θc的光全部不能取出。;内容;在进入空气前，可能吸收光的材料包括： 半导体窗口层材料 金属电极材料 衬底材料 因此需要改变芯片内部结构，减少材料再???收而产生的损失，提高ηA ;减少半导体材料的再吸收;减少电极和衬底的再吸收;减少电极和衬底的再吸收;减少电极和衬底的再吸收;传统的蓝光LED正装结构;倒装结构（FC）;垂直结构;改善电流分布;改善电流分布;;电流局域层（CBL）;;电流阻塞层(SHRR);大功率高亮度芯片的电流分布;发光效率及光通量随电流的变换;大面积下电流分布的改进;;;;减少衬底吸收;减少衬底吸收;减少衬底吸收;;内容;减少菲涅尔损失;减少菲涅尔损失;减少全反射损失;减少全反射损失——芯片的光取出面;减少全反射损失——半圆形结构;菲涅尔系数由0.702增为0.816 全反射角由17°增为26° 临界角损失系数由0.0865增为0.195 光效增为裸芯片的2.61倍;芯片上的小透镜;双面反射镜;减少全反射损失——表面粗糙或织构;;;周期性表面结构;减少全反射损失——斜边、漏斗形结构;;;;减少全反射损失——图形衬底;;;减少全反射损失——倒装结构;倒装芯片的优点： 光取出效率提高（蓝宝石的折射率约1.765） 电流分布均匀 散热性能得到改善;;;内容;基本结构的改变——光子晶体;;光子晶体的光谱选择和调制特性;;基本结构的改变——超级发光二极管;基本结构的改变——超级发光二极管;普通LED与垂直腔面超级发光二极管的光分布;