第6章逻辑门电路_ST_2014精编.ppt

第6章 逻辑门电路;？;本章学习重点;门电路：实现基本运算、复合逻辑运算的单元电路。 基本和常用门电路有：与门、或门、非门、 与非门或非门、与或非门、异或门…… ;电路中高、低电平的实现;6.1概述;门 (电子开关);开关 作用;6.2半导体二极管门电路;二极管具有单向导电性;半导体二极管的开关特性：; 静态特性;可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压Vi控制的开关。当外加电压Vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的动态特性。 ;存储时间;？;Y=AB;Y=A+B; 高低电平偏移 ;双极型三极管的开关特性(掌握） TTL反相器的电路结构和工作原理(理解) TTL反相器的静态输入特性和输出特性(理解) TTL反相器的动态特性(理解) 其他类型的TTL门电路(了解);双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳;基区薄 低掺杂;双极型半导体三极管的掺杂;; (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线;三极管CE之间相当于一个开关：在饱和区“闭合”，截止区“断开”;三极管的三种工作状态; 此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区， 其特点为IC＝βIB。 三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏 ; 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。 ; 三极管的基本开关电路;解： 根据饱和条件IB＞IBS解题。;（3）RC=6.8k?，将Rb改为60k?，重复以上计算。;由上例可见: Rb 、RC 、β等参数都能决定三极管是否饱和。 三极管电路的饱和条件可写为：;开关 作用;;截止状态;;;TTL集成门电路概述;集成逻辑电路的发展(按集成度的高低);集成逻辑门电路的分类;; 电路结构： 如图所示，它由输入级、中间级和输出级三部分组成。;(1) 输入级： 输入级由三极管T1、 D1和电阻R1 组成； (2) 中间级： 中间级由T2、 R2和R3组成。T2的集电极和发射极输出两个相位相反的信号，作为T4和T5的驱动信号； (3) 输出级： 输出级由D2、T4、T5和R4组成，这种电路形式称为推拉式电路。 ;（1）输入低电平0.2V 时 T1发射结导通，VB1=0.9V，所以T2、T5都截止。由于T2截止，流过R2的电流较小，可以忽略，所以VB4≈VCC=5V ，使T4和D2导通，则有： VO≈VCC-VBE4-VD=5-0.7-0.7=3.6（V） 。——关态 实现了非门的逻辑功能之一： 输入为低电平时， 输出为高电平。;（2）输入为高电平3.4V时 T2、T5导通，VB1=0.7×3=2.1（V ）， 由于T5饱和导通，输出电压为：VO=VCES5≈0.3V，这时T2也饱和导通， 故有VC2=VE2+ VCE2=1V。 使T4和二极管D2都截止。——开态 实现了非门的逻辑功能的另一方面： 输入为高电平时，输出为低电平。;（1）采用三极管输入级加快了存储电荷的消散过程； （2）输入端钳位二极管D1：抑制输入端负极性干扰、防止输入电压为负时T1发射极电流过大，起到保护作用。; （2）中间级：T2集电极输出的电压信号和发射极输出的电压信号变化 方向相反，故又称倒相级。 ; TTL反相器的电压传输特性;TTL反相器的电路结构和工作原理; 输出高电平电压VOH——在正逻辑体制中代表逻辑“1”的输出电压。VOH 的理论值为3.6V，产品规定输出高电压的最小值VOH（min）=2.4V，即为输出高电平的下限。;关门电平电压VOFF——是指输出高电压下降到VOH（min）时对应的输入电压，即输入低电压的最大值。在产品手册中常称为输入低电平电压，用VIL（max）（即输入低电平上限）表示。产品规定VIL（max）=0.8V。;阈值电压Vth——电压传输特性的过渡区所对应的输入电压，即决定电路截止和导通的分界线，也是决定输出高、低电压的分界线，用Vth表示。 即Vi＜Vth，非门关门，输出高电平； Vi＞Vth，非门开门，输出低电平。  Vth又常被形象化地称为门槛电压。Vth的值为1.3V～1.４