第七章_金属-半导体接触e精编.ppt

第七章 金属和半导体的接触 ; 1、金属半导体接触及其能级图;金属的功函数Wm;;半导体的功函数Ws;;p型半导体：;n型半导体：;设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即：;;;半导体中的电子;金属与n型半导体接触 接触电势差Vs=Ws-Wm WmWs→形成表面势垒 势垒区电子浓度比体内小得多→高阻区(阻挡 层)。 界面处的势垒通常称为肖特基势垒。;若WmWs;金属与n型半导体接触时;金属与p型半导体接触时，若WmWs，形成空穴的表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离受主形成，空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成P型阻挡层。;金属与p型半导体接触时，若WmWs，能带向 上弯曲，形成P型反阻挡层。;;金属功函数对势垒高度影响不大。 不同金属，虽功函数相差很大，但与半导体接触 形成势垒的高度相差很小。 半导体表面存在???面态。;;;;2、金属半导体接触整流理论;;;;（2）理论解释 ①扩散理论 对于n型阻挡层，当势垒的宽度远大于电子平均自由程，电子通过势垒区发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。 扩散理论适用于厚阻挡层。 计算通过势垒的电流时， 必须同时考虑漂移和扩散运动。 势垒区的电势分布是比较复杂的,当势垒高度远大于k0T时，势垒区可近似为一个耗尽层。;;;; ②热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度时，势垒的高度起绝对作用。 电流的计算归结为计算超越势垒的载流子数目。; ③镜像力和隧道效应的影响; 镜像力的影响; 隧道效应的影响;④肖特基势垒二极管;3.1 少数载流子的注入;3.2 欧姆接触;