物电学院微电子制造术 试题级电信 电子专业.docVIP

贵州师范大学2013 — 2014 学年度第 二 学期 《微电子制造技术》 年级\专业 电 信 姓 名 罗丞 学 号 110802010033 简答题 1、什么是集成电路，集成电路有哪些主要工艺过程。 答：集成电路是指组成电路的 HYPERLINK /s?q=%E6%9C%89%E6%BA%90%E5%99%A8%E4%BB%B6ie=utf-8src=wenda_link \t _blank 有源器件、无源元件及其互连一起制作在半导体衬底上或绝缘基片上，形成结构上紧密联系的、内部相关的事例电子电路。它可分为 HYPERLINK /s?q=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AFie=utf-8src=wenda_link \t _blank 半导体集成电路、膜集成电路、混合集成电路三个主要分支。 主要工艺过程： 薄膜集成电路工艺整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过 HYPERLINK /doc/5790158.html \t _blank 真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。 厚膜集成电路工艺用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。 单片集成电路工艺利用研磨、 HYPERLINK /doc/2125137.html \t _blank 抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的 HYPERLINK /doc/5592649.html \t _blank 隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。 2、简述PECVD、LPCVD、APCVD，并指出其区别。 PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体增强化学 HYPERLINK /doc/5912917.html \t _blank 气相沉积法PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了 HYPERLINK /doc/516344.html \t _blank 等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).优点：基本温度低；HYPERLINK /view/2223659.htm沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。缺点：设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；涂层过程中产生的剧烈噪音、强光HYPERLINK /view/2121.htm辐射、HYPERLINK /view/870246.htm有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害；对小孔孔径内表面难以涂层等；沉积之后产生的尾气不易处理。 常压 HYPERLINK /doc/6557162.html \t _blank 化学气相淀积（APCVD）是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单， HYPERLINK /doc/572329.html \t _blank 反应速度快，但是均匀性较差，台阶覆盖能力差，所以一般用于厚的介质淀积.优点：反映简单、淀积速度快、低温。缺点：台阶覆盖能力差、有颗粒污染、低产率。 LPCVD--Low Pressure Chemical Vapor Deposition低压力化学气相沉积法广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积,过程在管炉中执行，要求也相当高的温度。优点：纯高度和均匀性一致的台阶覆盖能力、大的硅片容量。缺点：高温、低的淀积速率、需要更多的维护、要求真空系统支持。 3、简述20世纪八十年代与20世纪九十年代的CMOS工艺，并指出其区别。 答：20世纪80年代的CMOS工艺技术具有以下特点:1、采用场氧化(LOCOS)工艺进行器件间的隔离。2、采用磷硅玻璃和回流进行平坦化。3、采用蒸发的方法进行金属层的淀积。4、使用正性光刻胶进行光刻。5、使用放大的掩膜版进行成像。6、用等离子体刻蚀和湿法刻蚀工艺进行图形刻蚀。 20世纪90年代CMOS工艺技术具有以下特点：1、器件制作在外延硅上(这样可以消除在