绪论和第一章：常用半导体器件精编.pptVIP

;关于本课程学习的几点说明;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;0.2 模拟电子技术基础课程特点;一、重点掌握“基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能”，具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。;四、考察方法;第1章 常用半导体器件;半导体二极管 晶体三极管 场效应管 ;1.1;图1.1.1 本征半导体结构示意图;(带负电); 自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种运动称为复合运动。在一定温度下，本征激发所产生的自由电子空穴对与复合的自由电子空穴对数目相等，叫做达到了动态平衡。;二、 杂质半导体;2. P 型半导体;三、 PN结的形成及其单向导电性;2. PN结的单向导电性;（2） PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;;2． 扩散电容 扩散电容是PN结正偏时所表现出的 一种电容效应。 PN结正向导电时，多 子扩散到对方区域后，在PN结边界上积 累，并有一定的浓度分布(注入P 区的少 子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN 结浓度越大，即在P 区有电子的积累。 同理，在N区有空穴的积累)。 积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，积累的电荷多；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累的电荷就减少。电荷的积累和释放过程与电容器冲、放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容Cd。  ;小结： 1、本征半导体及本征半导体的载流子； 2、N型半导体的形成及其多数载流子； 3、P型半导体的形成及其多数载流子； 4、PN结形成； 5、PN结的单向导电性。;复习 1、 P型半导体和N型半导体各自具有什么特点 2、PN结的形成以及PN结的单向导电性 ;1.2;二极管的几种外形;二极管的几种常见结构;二、二极管的伏安特性;温度对二极管伏安特性的影响：;;四、 二极管的主要参数;定性分析：判断二极管的工作状态;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;五、 稳压二极管;（2）主要参数;例: 如图所示电路中，已知输入电压UI=12V，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，稳定电流IZ=5mA,额定功率PZM=90mW，试问输出电压能否等于6V。;复习 1、 二极管的伏安特性 2、二极管等效电路 伏安表特性折线化等效电路和微变等效电路 3、稳压二极管 ;;基区：最薄， 掺杂浓度最低;晶体管的几种常见外形;二、晶体三极管的电流放大原理;2.三极管内部载流子的运动规律;IC = ICE+ICBO ? ICE;3. 各电极电流关系及电流放大作用;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;UCE ?1V;IB=0;IB=0;复习 1、 晶体三极管的电流放大原理 2、晶体三极管的输出特性曲线 ;四、温度对晶体管特性的影响;五、 晶体管的主要参数;2. 特征频率fT; 3. 极限参数;;+4V; 1.5 场效应管;结构示意图;N沟道JFET的符号表示;JFET的工作原理;②当uGS为UGS(off)~0之间某一值时，uDS对漏极电流iD的控制作用 ;P;③ uGD ＜UGS(off)时， uGS对iD的控制作用 ;D C G B S E;2、JFET的特性曲线; 可变电阻区： 特点：①当uGS为定值时，iD是uDS的线性函数，管子的漏-源间呈现为线性电阻，且其电阻的 阻值受uGS的控制。;;;;（2）工作原理（以N沟道为例）;③当uGS为大于UGS(th)的某一值时，在D-S之间加正向电压uDS时，将产生一定的漏极电流iD ，此时uDS对导电沟道的影响为： ; 定义： 开启电压（ UGS（th））—— 刚刚产生导电沟道所需的栅源电压uGS。;2、场效应管的特性曲线;;(3) 场效应管的主要参数;;1.5.3;本章小结