固体中的能带结构精编.ppt

第 三 章 固体的能带结构 ;前言; 解定态薛定格方程(略）， 可以得出两点重要结论：;二. 能带(energy band);能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。;离子间距;三 . 能带中电子的排布; 电子排布时，应从最低的能级排起。;§2 导体和绝缘体 （conductor ．insulator）;导体; 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。;从能级图上来看，是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV）， 共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到 高能级（空带）上去。;绝缘体与半导体的击穿;§３ 半导体的导电机构;例. 半导体 Cd S;这相当于产生了一个带正电的粒子 (称为“空穴”) , 把电子抵消了。;空带;?解?;;二. 杂质半导体; n 型半导体 ;２.ｐ型半导体;空 带;3. n型化合物半导体;三. 杂质补偿作用;§4 Ｐ-Ｎ结;??建场大到一定 程度,不再有净电 荷的流动，达到 了新的平衡。;P-N结处存在电势差Uo。;考虑到P-Ｎ结的存在，半导体中电子 的能量应考虑进这内建场带来的电子 附加势能。;空带;二 . Ｐ-Ｎ结的单向导电性;外加正向电压越大， 正向电流也越大，