原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
MOCVD;衬底材料的选择;用于氮化镓生长的衬底材料性能优劣比较 ;氮化镓衬底;氮化镓衬底生产技术和设备; Al2O3衬底;SiC衬底;Si衬底;Si衬底上生产GaN外延;ZnO衬底;外延工艺;CVD;CVD的优缺点;CVD外延的生长过程;CVD外延生长过程示意图;立式钟罩型常压CVD;卧式高频感应加热常压CVD;卧式电阻加热低压CVD;卧式等离子增强低压CVD;立式平板型等离子增强CVD;桶式CVD;MOCVD;MOCVD的优点;MOCVD及相关设备技术发展现状;MOCVD设备;MOCVD设备的发展趋势;Thomas Swan的MOCVD实物;MOCVD参数;MOCVD原理图;国产MOCVD;GaN外延片产业化生长法;MOCVD法生长GaN的主要技术要求;MOCVD法生长GaN存在的问题;InGaAlP材料的外延制作;GaInN外延的制作;外延生长方法的改进;PE(Pendeo epitaxy)法;其它新型外延材料;外延技术发展趋势 ;谢谢大家！
文档评论（0）