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第二章 存储器;概 述;§2.1 半导体存储器的分类;1.随机存储器(RAM);2 只读存储器（ROM); EPROM 可擦除可编程只读存储器
用户借助仿真器，选择适当的写入电压，将程序写入EPROM ，擦除时利用紫外线照射。擦净后，读出的状态为“FFH” ,可重复写入上万次。;3.闪速存储器（Flash Memory）; 存储器的容量＝2Ｎ, 其中Ｎ为所需片内地址线的根数。
1KB，片内地址线10根（A9～A0）
2KB，片内地址线11根（A10～A0）
4KB，片内地址线12根（A11～A0）
8KB，片内地址线13根（A12～A0）;三种方式;1.位扩展;2.字扩展;字位全扩展
如果存储器的字数和位数都不能满足需要，就要进行字和位的全扩展，字位全扩展是由字扩展电路和位扩展电路组合而成，电路如何画，留做作业。; 当CPU访问存储器时，出现在地址总线（AB）上的地址信号可划分为两部分，直接与存储器连接的地址线可称为片内地址线，其所用根数与存储器的容量有关，容量等于2N；其中N为片内地址线的根数；剩余的地址线称为片外地址线，常可做为存储芯片的片选地址线或译码电路的输入地址线。 ; 线选译码方式：利用片外地址线或其他直接与存储器芯片片选引脚线连接，方法简单，不需附加译码电路，适用于存储芯片较少，而且片外地址线充足的系统。
注意：若有多条片选线时，在CPU访问存储器期间只能有一根处于有效状态，不允许出现多条片选线同时有效的现象。; 全译码方式：指所有片外地址线都接入译码器输入端，没有剩余，其特点是：存储器的每一个存储单元只有唯一的一个地址与之对应，不存在地址重叠现象。;;;1.以SRAM为例，引脚结构如下图所示：;2.SRAM与CPU的连接;构造总线;地址分析;连接步骤：
① 构造总线；
② 挂上芯片(确定片内地址线根数）；
③ 根据题意设计译码电路，进行地址分析,确定
连接方式。;存储器连接练习;构造总线;地址分析
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