半导体薄膜_2研究.ppt

*;*;*;薄膜蒸发沉积装置的示意图;*/8;*/8;*/8;对于l摩尔的气体有 RT=PV，再考虑到 VgVl 有：;讨论：;某些元素的平衡蒸气压;*;*;*; 但实际上并不是百分之百地凝结成膜，总有一部分原子或分子会产生解吸。因此，存在一个凝结系数α即：; 蒸发法的显著特点之一是其较高的背底真空度。在较高的真空度下： 不仅蒸发出来的物质原子或分子具有较长的平均自由程，可以直接沉积到衬底表面上; 且还可以确保所制备的薄膜具有较高的纯净度。;真空蒸发系统一般由三部分组成：;蒸发沉积技术的种类;特点： 装置简单，应用广泛 需要针对不同的被蒸发材料选择加热材料和方法 加热温度不能过高，易产生电阻丝等加热材料的污染;支撑加热材料的形状如下图，大致有螺旋式(a)、篮式(b)、发叉式(c)和浅舟式(d)等。 ;*;*;*;*;电阻加热蒸发法的主要缺点是： 1）支撑坩埚及材料与待蒸发物反应； 2）难以获得足够高的温度使介电材料如 Al2O3、TaO3、TiO2等蒸发； 3）加热时，合金或化合物会分解； 4）蒸发速率较低。;电子束蒸发（electron beam evaporation）;电子束蒸发（electron beam evaporation）;电子的动能：;直枪（皮尔斯枪）结构示意图;环形枪腔体剖面图;高频感应蒸发（High-frequency induced evaporation）;激光束蒸发（Laser beam evaporation）;热源：激光 激光器： 　　　红宝石激光器 　　 钕玻璃激光器 　　 钇铝石榴石激光：巨脉冲 　　 CO2激光器：连续可调，大功率 激光束功率密度：聚焦后106w/cm2以上 物质吸收的能量： EA（吸收）=EI(入射)-ET(透射)-ER(反射)-ES(散射) 透射、反射、散射尽量小，损失小;优点：可蒸发高熔点材料； 热源在室外，无污染，简化真空室； 非接触加热，适宜于超高真空下制取纯洁薄膜； 较高蒸发速率； 　　　特别适于蒸发复杂成分的合金或化合物，光子瞬间内将能　　 　　　量传递给被蒸发物质，粒子能量高于普通蒸发方法； 缺点：　费用高，并非所有材料均能适用； 　　　　需要特殊的窗口材料； 　　　　易产生物质颗粒的飞溅； 　　　　设备较为复杂，难于大规模使用； ;反应蒸发（reactive evaporation）; 特点： 产生等离子体，使蒸发材料和反应气体电离活化，提高反应效率;以金属氧化物薄膜为例;蒸发法的优点 方法和设备可以相对简单 较高的沉积速度（数十?m/小时） 相对较高的真空度和薄膜纯度 蒸发法的缺点 蒸发粒子的能量相对较低;蒸发粒子的能量与物质键合能的比较 ;第二讲 小结;基本概念复习