半导体集成电路第3部分38837307研究.ppt

单晶生长 主要内容 部分单晶介绍 外延法生长单晶 丘克拉斯基 （Czochralski）法 Bridgman生长法 区熔法 冷坩埚法 硅晶体结构的特点 硅是微电子工业中应用最广泛的半导体材料，占整个电子材料的95％左右，人们对它的研究最为深入，工艺也最成熟，在集成电路中基本上都是使用硅材料。 硅、锗、砷化镓电学特性比较 硅、锗、砷化镓电学特性比较 锗应用的最早，一些分立器件采用. GaAs是目前应用最多的化合物半导体，主要是中等集成度的高速IC，及超过GHz的模拟IC使用，以及光电器件. 从电学特性看硅并无多少优势,硅在其它方面有许多优势. 硅、锗、砷化镓电学特性比较 硅作为电子材料的优点 原料充分； 硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要； 重量轻，密度只有2.33g/cm3； 热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃ ，热导率高，1.50W/cm·℃； 单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好； 机械性能良好。 硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞 硅晶向、晶面和堆积模型 硅晶面 晶体中所有原子看作处于彼此平行的平面系上，这种平面系叫晶面。用晶面指数 h1h2 h3 标记。如（100）晶面（又称密勒指数）。等价晶面表示为 100 [100]晶向和 100 面是垂直的。 硅晶面 单晶体与多晶体 物质是由原子、分子或离子组成的。当这些微观粒子在三维空间按一定的规则进行排列，形成空间点阵结构时，就形成了晶体。因此，具有空间点阵结构的固体就叫晶体。 晶体的物质微粒的空间点阵结构排列有两个特点：一是周期性，二是对称性 单晶体，就是由同一空间点阵结构贯穿晶体而成的。 多晶体，没有能贯穿整个晶体的结构，它是由许多单晶体以随机的取向结合起来的。 硅单晶 硅单晶片是当今世界电子产业领域电子原器件的基础材料,属微电子技术基础产,应用域极其广泛。 微电子领域能够利用的一般都是人工制造的硅单晶体，通过切片、研磨、抛光等等工艺，产品为一定直径的硅单晶圆片，即Wafer 。 自然界硅含量非常丰富，但单晶硅很少，绝大部分以SiO2的形式存在，工业利用需要人工加工，由此形成了一个硅单晶生产产业。 磷化铟单晶 磷化铟单晶是主要用于激光探测器和高速集成电路的基础材料，尤其是军事电子对抗中不可缺少的关键材料。 磷化铟单晶通常是用液封直拉法生长。 半导体所取得了磷化铟单晶生长技术的突破，使晶片的均匀性改善，材料利用率提高，促进了器件成品率的提高。 砷化镓单晶 半绝缘砷化镓是一种重要的微电子和光电子基础材料，广泛应用于新一代移动通信、宽带网络通信系统等民用和国家安全等领域。 2002年9月研制出我国第一根直径5英寸液封直拉法 LEC法 大直径砷化镓单晶。 2003年8月研制出21.5千克的我国最大直径 6英寸 LEC法砷化镓单晶。 2003年8月研制出 18.2千克 、最长 435毫米 的直径4英寸LEC法砷化镓单晶。 SiC单晶 以碳化硅 SiC 及GaN为代表的宽禁带材料，是继Si和GaAs之后的第三代半导体。 与Si相比，SiC具有宽禁带 Si的2～3倍 、高热导率 Si的3.3倍 、高击穿场强 Si的10倍 、高饱和电子漂移速率 Si的2.5倍 、化学性能稳定、高硬度、抗磨损以及高键合能等优点。 SiC单晶（续） SiC特别适合于制造高温、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件。 SiC器件可用于航天、通讯、海洋勘探、地震预报、石油钻井、机械加工、汽车电子化等重要领域。 六方SiC与GaN晶格和热膨胀相匹配，是制造高亮度GaN发光和激光二极管的理想衬底材料。 单晶的外延生长 外延 Epitaxy, 简称Epi 工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料。 外延层可以是同质外延层 Si/Si ，也可以是异质外延层 SiGe/Si 或SiC/Si等 。 实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延 MBE ，超高真空化学气相沉积 UHV/CVD ，常压及减压外延 ATM RP Epi 。 单晶的外延生长（续） 由生长方法将外延工艺分为两大类：全外延 Blanket Epi 和选择性外延 Selective Epi, 简称SEG 。 工艺气体中常用三种含硅气体源：硅烷 SiH4 ，二氯硅烷 SiH2Cl2, 简称DCS 和三氯硅烷 SiHCl3, 简称TCS 。 某些特殊外延工艺中还要用到含Ge和C的气体锗烷 GeH4 和甲基硅烷 SiH3CH3 选择性外延工艺中还需要用到刻蚀性气体氯化氢 HCl 。 反应中的载气一般选用氢气 H2 。 单晶的外延生长（续） 外延选择性的实现一般通过调节外延沉积和原位 in-situ 刻蚀的相对速率大小来实现。