半导体物理学刘恩科第七版第七章金半接触研究.pptVIP

第七章 金属和半导体接触;7.1 金属半导体接触及其能级图； 7.2 金属半导体接触整流理论 7.3 少数载流子注入和欧姆接触;7.1 金半接触及其能带图;半导体中， 使内部电子从半导体逸出成为自由电子所需要的最小能量为：;若一块金属和一块n型半导体，具有共同的真空静止能级，且（金属功函数）WmWs （半导体功函数）。;接触后电子流动的结果： 金属表面带负电，半导体表面带正电。 所带电荷在数量上保持相同，系统保持电中性。 相对于EFm, EFs下降了(Wm –Ws);D越小，靠近半导体的金属表面负电荷密度增加 靠近金属的半导体表面正电荷密度增加。;D很小时，Vs=(Ws –Wm)/q;Vs〈0;Vs0;对一定半导体，亲和势?一定。 理论上，金属材料不同，功函数Wm不同，势垒高度也不同。;电子正好填满q?0以下所有表面态时，表面电中性；;若EF比q?0高一点，表面态积累很多负电荷，势垒高度 qVD= Eg-q?0-En 称为被高表面态密度钉扎。;N型半导体与金属接触时，流向金属的电子主要由表面态提供。;当半导体表面的密度很高时，可屏蔽金属接触的影响，使半导体内的势垒高度与金属的功函数无关， 基本上由半导体表面的性质决定。;7.2 金属半导体接触的整流理论-阻挡层的整流理论;N型阻挡层， (Vs) 00, 因此，加正向偏压(V0)，势垒高度降为-q[(Vs) 0+V],;P型半导体阻挡层 由于(Vs) 00, 正向电压和反向电压极性正好与n型阻挡层相反。;7.2.1 扩散理论;V(xd)=-(?ns+V) 而 ?ns= ?n+ VD;X=xd时;V0, qVk0T;7.2.2 热电子学发射理论;N型半导体为例，势垒高度为-q (Vs) 0k0T,;单位体积中，速率在?x~ (?x+d?x)、 ?y~ (?y+d?y)、 ?z~ (?z+d?z)区间内, 单位截面积、单位时间到达金-半界面的电子数为: ;从半导体到金属形成的电流密度为(规定正方向为金属到半导体);越过阻挡层总的电流密度为;热电子发射理论与扩散理论的电流密度在形式上相同； 区别：JsT与外加偏压无关，但更依赖于温度。;7.2.3镜像力和隧道效应的影响;2.隧道效应;7.2.4肖特基势垒二极管;2. 对于相同的势垒高度，肖特基势垒二极管有的JsD或JsT比Js大得多。肖特基势垒二极??正向导通电亚较低，约0.3V左右;7. 3 少数载流子的注入和欧姆接触;加正向电压，势垒降低，空穴扩散作用占优势，形成自外向内的空穴流。 与电子电流方向一致。;7.3.2 欧姆接触;欧姆接触的实现: (不考虑表面态的影响) 1.形成反阻挡层：反阻挡层没有整流作用； 2. 选择合适的金属材料;重掺杂的pn结有显著隧道效应;电子的势垒为;欧姆接触最常用的方法：