电子工程物理基础v1.1(5-2)2014课题.ppt

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2016-07-27 发布于湖北
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唐洁影东南大学电子科学与工程学院;第5章半导体中电子的控制;5.3 半导体与金属（metal-semiconductor contact）;1. 能带图;(2) M-S(n型) , WmWs;(3) M-S(p型) , WmWs;(4) M-S(p型) , Wm Ws;n型阻挡层;势垒高度随外加正电压的增加而降低,因此由半导体流向金属的净电子流增加,且按指数增加。;（2）加反向电压（金属接“－”）;Vt ;3.肖特基势垒二极管;(2)与p-n结二极管的比较;3.SDB的正向开启电压比p-n的低；而反向饱和电流比p-n的大。这是因为多数载流子电流远高于少数载流子电流。;4.欧姆接触（Ohmic Contact）;（1）表面态对接触势垒的影响;三.表面态;WmWs;（2）欧姆接触的实现;