电子技术基础与应用_认识常用的半导体器件课题.ppt

电子技术基础与应用;认识常用的半导体器件;任务一 半导体的基本知识 任务二 PN结及其单向导电性 任务三 半导体二极管 任务四 晶体三极管;任务一 半导体的基本知识;任务一 半导体的基本知识; ;半导体：光敏 光照导电能力显著增强。 热敏 加热导电能力显著增强。 搀杂 掺入微量杂质，导电能力 显著增强。;知识二 本征半导体; 硅和锗原子结构示意图 a)原子结构示意图 b) 简化模型 ;硅单晶体共价键结构示意图;本征激发产生空穴—电子对;电子和空穴的移动; 1、自由电子 + 2、空穴 – ;本征半导体导电能力很差！;知识三 杂质半导体;N型 、P型半导体中的共价键结构;N型半导体中两种载流子;N型半导体简化结构示意图;通过以上讨论可知：;任务二 PN结及其单向导电性;任务二 PN结及其单向导电性;;扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。;PN结示意图;知识二 PN结的单向导电性;外加正向电压PN结导通 外加反向电压PN结截止;任务三 半导体二极管;知识一 二极管的结构和类型 知识二 二极管的伏安特性 知识三 二极管的型号和主要参数 知识四 小功率二极管的检测方法 知识五 认识常用二极管 ;V; 半导体二极管外型 ;2.二极管分类;a)点接触型 b)面接触型 c)平面型;知识二 二极管的伏安特性;图1.16二极管的伏安特性 a) 伏安特性示意图 b)硅二极管的伏安特性 c）锗二极管的伏安特性;死区电压最大值叫门限电压，用表示。一般硅二极管的约0.5伏，锗二极管的约0.1伏。;0;第一部分;2 CZ54D;;+;小功率二极管的检测方法;观察玻璃壳内触丝。对于点接触二极管，如果标记已模糊不清，可以将外壳上的黑色或白色漆层轻轻刮起掉一点，透过玻璃观察二极管的内部结构，有金属触丝的一端就是正极。;将万用表置于R×100或R×1K挡，先用红、黑表笔任意测量二极管两端子间的电阻值，然后交换表笔再测量一次，如果二极管是好的，两次测量结果必定出现一大一小。以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。;黑表笔接二极管正极;知识五 认识常用二极管;⑵整流二极管：;⑶稳压二极管：;VZ;稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区。;⑷发光二极管;;发光二极管;发光二极管;七段显示译码器的接法;⑸光电二极管;光电二极管是在反向电压作用下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。;光电（敏）二极管;光敏二极管;⑹肖特基二极管;开关二极管;任务四 晶体三极管;任务四 晶体三极管;知识1 三极管的结构和类型;a)大功率三极管 b)金属封装 c)塑料封装 ;c;三极管制作时有以下工艺要求：;三极管分类;三极管的电流放大作用 ;三极管的电流放大作用;三极管内部载流子分配规律;三、三极管的型号和主要参数;2、三极管的主要参数;ube(V);Uce(V);五、晶体三极管的三种工作状态; 发射结正偏 集电结反偏 ;3.饱和状态;例如：给三极管加如图1.31a)、b)、c)所示电压时三极管分别处于截止状态、放大状态、饱和状态。;六、常用晶体???极管的外形识别 ;②大功率晶体三极管外形电极识别 ;①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型 ;②判断集电极c和发射极e ;