光纤通信系统_第三章光源与光发射机课题.ppt

第三章光源与光发射机;光发射机的作用： 将电信号转变成光信号，并有效的把光信号送入传输光纤。 光发射机=光源+驱动电路+辅助电路 ;两种半导体光源 发光二极管（LED）： 输出非相关光，谱宽宽、入纤功率小、调制速率低。 适用短距离低速系统 激光二极管(LD): 输出相干光，谱宽窄、入纤功率大、调制速率高。 适用长距离高速系统;光纤通信系统对光源的要求;主要内容;一、半导体中光的发射和激射原理 ;1）原子的能级 近代物理实验证明，原子中的电子只能以一定的量子状态存在，也即只能在特定的轨道上运动，电子的能量不能为任意值，只能具有一系列的不连续的分立值。 我们把这种电子、原子、分子等微观粒子的能量不连续的分立的内能称为粒子的能级。; 粒子处于最低能级时称为基态，处于比基态高的能级时，称为激发态。 通常情况下，大多数粒子处于基态，少数粒子被激发至高能级，且能级越高，处于该能级的粒子数越少。在热平衡条件下，各能级上的粒子数分布满足玻尔兹曼统计分布。; 其中，N1、N2为处于能级E1、E2上的粒子数，k0=1.381×10-23 J/K为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，下图为玻尔兹曼分布曲线。;2）光与物质的相互作用;图：能级和电子跃迁; 在外界能量作用下，处于低能级的粒子将不断地被激发到高能级上去，从而使高能级上的粒子数大于低能级上的粒子数，这种分布状态称为粒子数的反转分布。在外界入射光的激发下，高能级上的粒子产生大量的全同光子，以实现对入射光的放大作用。 我们把处于粒子数反转分布的物质称为激活物质或增益物质。这种物质可以是固体、液体或气体，也可以是半导体材料。把利用光激励、放电激励或化学激励等方法达到粒子数反转分布的方法称为泵浦或抽运。 ;3）光的放大：;半导体材料的能带结构; 能量低的能带是价带，相对应于原子最外层电子（价电子）所填充的能带，处在价带的电子被原子束缚，不能参与导电。价带中电子在外界能量作用下，可以克服原子的束缚，被激发到能量更高的导带之中去，成为自由电子，可以参与导电。处在导带底Ec与价带顶Ev之间的能带不能为电子所占据，称为禁带，其能带宽度称为带隙Eg(Eg=Ec-Ev)。;半导体PN结光源;图3.1半导体的能带和电子分布 (a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体 ; ; 在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光。由于这种发光是正向偏置把电子注入到结区的，又称为电致发光。这就是发光二极管的工作原理。 粒子数反转分布是产生受激辐射的必要条件，但还不能产生激光。只有把激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择，才能获得连续的光放大和激光振荡输出。 我们可以利用半导体材料晶体的天然解理面构造光学谐振腔，那么，在有源区的放大补偿了各种损耗后，就会有稳定的激光输出。这就是半导体激光器的的基本原理。;发光波长 ;4）直接带隙与间接带隙半导体 根据能带结构的能量与波矢量关系(如下图所示)，半导体材料可以分为光电性质完全不同的两类，即直接带隙材料和间接带隙材料。 在直接带隙材料中，导带中的最低能量状态与价带中的最高能量状态具有相同的波矢量，即位于动量空间中的同一点上。 在间接带隙材料中，导带中的最低能量状态与价带中的最高能量状态处在不同的波矢量位置上，即具有不同的动量。;图3.1.4 直接带隙半导体(a)与间接带隙半导体( b)的能量-动量图; 能带结构的这种差别使得这两类半导体材料的光电性质具有非常大的差异。 在直接带隙材料中，电子在价带和导带之间跃迁符合动量守恒条件，因此具有较大的跃迁几率。 在间接带隙材料中，电子在价带和导带之间跃迁不符合动量守恒条件，光子与电子的相互作用需要在声子的作用下才能完成，因此跃迁几率非常低。 所以间接带隙材料发光效率比较低，不适合于制作光源。; 目前广泛应用的半导体材料主要有： （1）硅（Si）、锗（Ge）等Ⅳ族半导体材料，属于间接带隙材料，不能用来制作半导体激光器，主要用于集成电路和光电检测器的制作。 （2）碲化镉（GdTe）、碲化锌（ZnTe）等Ⅱ~Ⅵ族化合物半导体材料均为直接带隙材料，主要用于可见光和红外光电子器件的制作。 （3）砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、砷磷化铟镓（InG