02-光电基础概念.pptVIP

图像传感器的概述;第二讲 光电技术基础; ; 物质的吸收系数α：光在物质中传播时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程的倒数。 ; ;二、半导体对光的吸收（ 1.5.2 ） ;1、本征吸收; 发生本征吸收的条件： 光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 ;2 、杂质吸收 ;杂质吸收的长波限—— ;3. 激子吸收 ;4. 自由载流子吸收 ; 只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，能够引起光电效应。 其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会改变半导体的导电特性。 ;光电效应 ;一、内光电效应 ;两种情况（具体推导过程不作要求） 1) 在弱辐射作用下的半导体材料的电导与入射辐射通量Φe,λ成线性关系。;;2. 光生伏特效应 ; 半导体PN结的能带结构如图1-12所示，当P型与N型半导体形成PN结时，P区和N区的多数载流子要进行相对的扩散运动，以便平衡它们的费米能级差，扩散运动平衡时，它们具有如图所示的同一费米能级EF，并在结区形成由正负离子组成的空间电荷区或耗尽区。;当设定内建电场的方向为电压与电流的正方向时，将PN结两端接入适当的负载电阻RL，若入射辐射通量为Φe,λ的辐射作用于PN结上，则有电流I流过负载电阻，并在负载电阻R