第一章硅集成电路衬底加工技术分解.ppt

集成电路制造技术;?早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。 ? 1874年，电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。?;基本器件的两个发展阶段;什么是微电子工艺;微电子工业生产过程图;npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程----硅外延平面工艺举例;2 微电子工艺发展历程;The First Transistor from Bell Labs;1958年在美国的德州仪器公司和仙童公司各自研制出了集成电路，采用的工艺方法是硅平面工艺。;Jack Kilby’s First Integrated Circuit;仙童（Fairchild）半导体公司;60年代的出现了外延技术，如：n-Si/n+-Si，n-Si/p-Si。一般双极电路或晶体管制作在外延层上。 70年代的离子注入技术，实现了浅结掺杂。IC的集成度提高得以实现。 新工艺，新技术，不断出现。（等离子技术的应用，电子束光刻，分子束外延，等等）;张忠谋：台湾半导体教父 ;??登-摩尔提出摩尔定律;DROM集成度与工艺的进展;2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，它采用英特尔0.13μm制程技术生产，含有5500万个晶体管。 2002年8月13日：英特尔透露了90nm制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内首次在生