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2.检测技术与检测元件;基本要求;光电式检测元件是一种将光信号转换为电信号的元件,其物理基础是光电效应。; 1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应,并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。 ;光波:波长为10—106nm的电磁波
紫外线:波长10—380nm
波长10—200nm称为极远紫外线
波长200—300nm称为远紫外线
波长300—380nm称为近紫外线
可见光:波长380—780nm
红外线:波长780—106nm
波长3μm(即3000nm)以下的称近红外线
波长超过3μm 的红外线称为远红外线。
光谱分布如图所示。;远紫外;由光的粒子说可知,光是以光速运动着的粒子(光子)流,一束频率为 f 的光由能量相同的光子所组成,每个光子的能量为
h——普朗克常数,6.626×10-34J·s;
γ——光的频率(单位s-1)。
可见,光的频率愈高(即波长愈短),光子的能量愈大。; 光通量Φ:每单位时间到达、离开或通过曲面的光能数量。单位是流明 。
如果将光作为穿越空间的粒子(光子),那么到达曲面的光束的光通量与 1 秒钟内撞击曲面的粒子数成一定比例。
光照度E:表示物体表面单位面积上受到的光通量,即通常所说的勒克司度(lux),1勒克司相当于1流明/平方米。
发光强度I:光源在某一特定方向上单位立体角(球面度)内辐射的光通量,称为光源在该方向上的发光强度,简称光强,单位为坎德拉(cd),简称坎。 ;3.光源(发光器件);2)气体放电光源;3)发光二极管(LED—Light Emitting Diode) ;4)激光器
激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一,具有高方向性、高单色性和高亮度三个重要特性。激光波长从0.24μm到远红外整个光频波段范围。; 光电传感器是将被测量的变化通过光信号变化转换成电信号的传感器;具有这种功能的材料称为光敏材料;利用光敏材料做成的器件称光敏器件。
在计算机、自动检测、控制系统应用非常广泛。
光敏器件种类很多:
如: 光电管、 光敏二极管、
光电倍增管、 光敏三极管、
光敏电阻、 光电池、
光电耦合器、 光纤等等。 ;指纹锁;2.7.1 光电效应;
光电效应可分为:
外光电效应
内光电效应 光电导效应
光生伏特效应 ;(1)外光电效应;由能量守恒定律有:;能使光电材料产生光电子发射的光的最低频率称做红限频率。
不同的物质具有不同的红限频率。
当入射光的频率低于红限频率时,不论入射光多强,照射时间多久,都不能激发出光电子;当入射光频率高于红限频率时,不管它多么微弱,也会使被照射的物体激发电子。;由能量守恒定律有:;光电导效应:
在光线作用下物质导电率(电阻率)发生变化的物理现象称为光电导效应。
如光敏电阻。;过程:当光照射到半导体材料上时,价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击,并使其由价带越过禁带跃入导带,如图,使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加,从而使电导率变大。;回忆PN结;PN结的形成; 因浓度差; 在空间电荷区,由于缺少载流子,所以也称耗尽层或势垒层。 ;光生伏特效应:
光生伏特效应是半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应。
下面分两种情况讨论:
不加偏压时的PN结
处于反偏时的PN结; 不加偏压时的PN结
当光照射在PN结时,如果电子能量大于半导体禁带宽度(E0 > Eg),可激发出电子—空穴对,在PN结内电场作用下空穴移向P区,而电子移向N区使P区和N区之间产生电压,这个电压就是光生电动势。; 处于反偏时的PN结
无光照时,反向电阻很大,反向电流很小;
有光照时,光子能量足够大产生光生电子—空穴对,在PN结电场作用下,电子 N,空穴 P运动,形成光电流;
光电二极管一般反向连接。
电流方向与反向电流一致,光照越大光电流越大。
具有这种性能的器件有:
光敏二极管、光敏晶体管
从原理上讲,不加偏压的
光电二极管就是光电池。;;相对光谱灵敏度
积分灵敏度
光电器件对连续光通量的反应称为积分灵敏度 ;光照特性
当光电器件加上一定的外加电压时,其输出光电流I或端电压U与入射光照度E之间的关系。
;频率特性
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