第三章外延课程.pptVIP

第3章 外延 (Epitaxy) ;第3章 外延;3.1 概述3.1.1外延概念 ;3.1.2 外延工艺种类 ;同质外延又称为均匀外延，是外延层与衬底材料相同的外延。 异质外延也称为非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，甚至物理结构也与衬底完全不同。GaAs/Si 、SOI（SOS）等材料就可通过异质外延工艺获得。 异质外延的相容性 1. 衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解现象； 2.衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。 3.衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。; 异质外延生长工艺的两种类型; 晶格失配 lattice mismatch失配率; 特点;3.1.3 外延工艺用途;;;;3.2 气相外延;外延工艺常用的硅源;3.2.1硅的气相外延工艺;工艺步骤及流程;工艺;工艺;3.2.1 Si-Cl-H系统反应过程;3.2.2气相外延原理 ;SiH4热分解外延; 气相质量传递过程;2 表面过程;3.2.3 外延速率的影响因素;外延速率的影响因素（一）;外延速率的影响因素(二);外延速率的影响因素（三）;速率、温度对结晶类型的影响;3.2.4