电子科大薄膜物理(赵晓辉)第三章溅射论述.ppt

* －－为什么在正半周不对基片进行溅射 Vc：等离子体与靶间 电压 Vd：等离子体与接地 电极电压 Ac：靶电极面积 Ad：接地电极面积 由于Vd很小，等离子体 只对薄膜进行轻微轰击 e. 射频溅射的空间电位分布 * f. 射频溅射的特点 优点：A 可淀积导体、半导体、绝缘体在内的 所有材料； B 击穿电压及维持放电电压均很低； 工作气压低 ~1/10直流 电子作振荡运动，增加了碰撞几率，便于吸收能量， 不需要二次电子来维持放电。 缺点：靶上发射的二次电子对基片的辐照 损伤没有消除。 * ⑤ 磁控溅射 a. 原理 E⊥靶面，B∥靶面 * 溅射产生二次电子和原子，对于e1电子 近似认为：二次电子在阴极暗区只受电场作用； 在负辉光区只受磁场作用 在电磁场的作用下，二次电子作上下的振荡 横向的漂移 运动 * 若电磁场是闭合的，则二次电子的运动轨迹为一条圆滚线 * 二次电子与气体分子碰撞以后，损失能量，其运动 轨迹会稍微偏离阴极而靠近阳极（阴阳极间距的1/100 左右），这样必须经多次碰撞后二次电子才能到达阳极 （基片）。一方面增加了碰撞电离的几率，另一方面对 基片的损伤小。 e2电子可直接到达阳极，但其比例很少。 气体电离后的正离子轰击靶，打出新的e1电子， 重复上述过程。 * b. 特点 1）基片温升低，只及RF入射能量的1/10。可对塑料 基片、光刻胶等进行溅射。 2）高