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双MOS晶体管等效电阻* 沈　杰，靳东明，李志坚 1.2　双MOS管电阻原理 　　为此，提出了由两个MOS管组成的双MOS管等效电阻，可以满足Vds在一定电压范围内(如1～4V)工作的要求，其模拟和实测的误差在5%以内，阻值在几kΩ到十几kΩ之间。　　如图1所示，M1，M2管尺寸相同，工作条件是：Vg=5V,Vd在1～4V之间，Vs＝0V，所以，M1管工作在线性区，M2管工作于饱和区。 　　　　　图1　双MOS管电阻结构 由萨方程可知： I1ds=k[2(Vgs-Vt1)Vds-V 2ds]，　　　　　　　　　　VdsVgs-Vt1, 非饱和区　　　　　　　　　　　(3)I2ds=k(Vds-Vt2)2，　　　　　　　　　　　　0Vgs-Vt2Vds, 饱和区　　　　　　　　　　　(4) 总电流 I=I1ds+I2ds=k[2(Vgs-Vt1)Vds-V 2ds]+k(Vds-Vt2)2＝2k(Vgs-Vt1)Vds+k[(Vds-Vt2)2-V 2ds]=2k(Vgs-Vt1-Vt2)Vds+kV 2t2=I1+I2 　　其中I1=2k(Vgs-Vt1)Vds,I2=kV 2t2,Vt1与Vt2分别是M1管和M2管的开启电压。　　可见，若Vt2=0，即M2管是开启电压为0的管子，则总电阻R=[2k(Vgs-Vt1)]－1，是个线性很好的电阻(与单MOS管在线性区的阻值公式相同)。但是，为了制作0管，需要增加工艺步骤。下面，讨论M2管同M1管开启电压相同且不为0的情况，即Vt1=Vt2=Vt,这时总电阻R=[2k(Vgs-2Vt)+kVt2/Vds]-1,与Vds有关。取Vgs=5V, Vt=0.7V,当Vds=1V时，R=(7.69k)－1(这里的k=μCoxW/(2L)),当Vds=2V时，R＝(7.445k)－1，相对于Vds=1V时的电阻变化为96.81%；当Vds=4V时，R=(7.3225k)－1，相对于Vds=1V时的电阻变化为95.22%，效果很好。　　取μn=500cm2／(V．s)，ε=3.9ε0=3.9×8.85×10－4F/cm, tox=40nm，所以k=21.6W/L μA/V2，当W =20μm,L=5μm时，电阻R约为6.4kΩ。可以以此来估计双MOS管等效电阻的阻值大小。Vds越大(在Vgs-VtVds条件下)电阻的线性就越好。W／L越大，电阻的阻值就越小。 2　模拟及测试结果 　　图2是双管电阻的测量电路，输入电流值从60μA增加到110μA(不能从0A开始，否则VP＝0V，不符合双管电阻正常工作的条件)，双MOS管(MR1和MR2)尺寸均为W ＝10μm, L＝5μm。 图3是模拟结果，可见流过MOS管MR1和MR2的电流值Is从60μA变化到110μΑ时，电压VP在0.969～1.846V之间变化，电阻值R =VP/Is在16.111～17.28kΩ之间，中值是16.6955kΩ，误差为±3.63%. 　　　图2　电阻测量电路 　　　图3　双管W/L相同时电阻阻值的模拟结果 　　制作了W/L分别为9μm/2μm，9μm/5μm，9μm/10μm，9μm/15μm 4种不同的双MOS管电阻，在不同的工作条件下(栅压Vg取不同的值)进行了测量，结果见表1。 其中Rn表示电压Vds为n时的等效电阻值。可见： 　　　　　　表1　双MOS管电阻测量结果 (W=9μm) Vg/VVds/VL=2μmL=5μmL=10μmL=15μmIs/mARn/ΩRn/R1.5Is/μARn/kΩRn/R1.5Is/μARn/kΩRn/R1.5Is/μARn/kΩRn/R1.5　0.50.657690.877147.23.41.1858.88.50.8648.210.370.899　1.01.218260.9423632.750.951107.69.290.94691.210.960.96751.51.71877　5192.89　152.49.84　130.111.53　2.02.159301.066583.041.049192.310.41.059167.811.921.051　2.52.4910041.147893.171.1024010.4210621511.631.008　0.50.7246910.9162911.7180.90288.65.6431.06562.48.0130.916　1.01.387250.9625511.8150.9