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常熟理工学院 试题参考答案及评分标准 试题参考答案及评分标准 试题参考答案及评分标准 2 四、论述题（每题20分，共20分） 形成阻挡层：高阻、整流 （2’） （4’） （4’） 形成反阻挡层：低阻、欧姆 （2’） （4’） （4’） 五、计算题（每题14分，共14分） 1. 解：已知Ge原子浓度为， ， （2’） ， （2’） ， （4’） 及室温下的接触电势差为； 改变后对应的接触电势差为， ， ， ， （6’） 即随着施主浓度的变化，接触电势差的变化量为。 课程名称： 半导体物理与器件 A卷 2012 / 2013 学年第 2 学期 使用班级： 成教 一、填空题（每空1.5分，共15分） 1.原胞、2 2.布里渊区边界 3.简化问题，概括半导体内势场 4. 2 、3 5. 电离杂质散射、晶格振动散射、其它因素散射如谷间散射 6. P、受主能级 7. 8．、 9. 二氧化硅层的可动离子、二氧化硅层的固定电荷、界面态、二氧化硅层中的陷阱电荷。 10. 少、多、肖特基势垒二极管 二、单项选择题（每题1.5分，共15分） 1.D 2.C 3. A 4.B 5. A 6.D 7. C 8.B 9.D 10.A 三、简答题（每题12分，共36分） 1.答：1 施主能级：施主杂质掺杂在禁带中引入施主能级，其为分立能级，随着施主的电离，电子进入导带，留下正电中心。 （2’） （2’） 受主能级：受主杂质掺杂在禁带中引入受主能级，其为分立能级，随着受主的电离，空穴进入价带，留下负电中心。 （2’）2）pn结能带图 （4’） 由于pn结两侧载流子浓度的不同，载流子发生扩散，使n区能带向上弯，p区能带向下弯；整个pn结处于平衡态，所以费米面处处相同。 （2） （4’） 2. 1）对于P型半导体，， （2’） 室温下，受主全部电离，， （1’） 常熟理工学院试题参考答案及评分标准准 答 ： （2’） 低温弱电离区： （2’） 中间电离去： （2’） 强电离区： （2’） 过渡区： （2’） 高温本征激发区： （2’） 3. 答：，平均自由时间是散射概率的倒数。 （2’） （5’） （5’）