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光电信号处理;第五章 光子计数技术 ;单光子探测技术是一种极微弱光探测法 所探测的光强度比光电传感器本身在室温下的热噪声水平（10-14W）还要低， 用通常的直流检测方法不能把这种湮没在噪声中的信号提取出来。 单光子计数方法利用弱光照射下光子探测器输出电信号自然离散的特点，采用脉冲甄别技术和数字计数技术把极其微弱的光信号识别并提取出来。;单光子探测技术的应用领域： 高分辨率的光谱测量、 非破坏性物质分析、 高速现象检测、 精密分析、大气测污、 生物发光、放射探测、 高能物理、天文测光、光时域反射、 量子密钥分发系统等。 由于单光子探测器在高技术领域的重要地位， 已经成为各国光电子学界重点研究的课题之一 ;单光子探测技术和模拟检测技术相比有如下优点： ●测量结果受光电探测器的漂移、系统增益变化以 及其它不稳定???素的影响较小； ●消除了探测器的大部分热噪声的影响，大大提高 了测量结果的信噪比； ●有比较宽的线性动态区； ●输出数字信号，适合与计算机接口连接进行数字 数据处理。 ;单光子计数器的组成 ;系统工作原理;单光子计数的光电器件;1、光电倍增管（PMT）单光子探测器 ;2、雪崩光电二极管（APD）单光子探测器 ;雪崩光电二极管的工作原理： 工作在反向偏压下，反向偏压越高，耗尽层当中的电场强度也就越大。 当耗尽层中的电场强度达到一定程度时（材料不同，电场大小也不一样，如：Si-APD为105V/cm），耗尽层中的光生电子空穴对就会被电场加速，而获得巨大的动能，它们与晶格发生碰撞，就会产生新的二次电离的光生电子空穴对，新的电子空穴对又会在电场的作用下获得足够的动能，再一次与晶格碰撞又产生更多的光生电子空穴对，如此下去，形成了所谓的“雪崩”倍增，使信号电流放大。 ;目前应用的APD主要有三种： Si-APD、Ge-APD和InGaAs-APD。 它们分别对应不同的波长。 Si-APD主要工作在400nm～1100nm， Ge-APD在800nm～1550nm， InGaAs-APD则在900nm～1700nm。 已经有了相关的报道：在光通信三个波段（即850nm、1310nm和1550nm）的单光子探测器用于量子密钥系统。 ;国内成功地制作了850nm波长的单光子探测器，并在850nm的单模光纤中完成了量子密码通信演示性实验。 APD单光子计数具有量子效率高、功耗低、工作频谱范围大、体积小、工作电压较低等优点， 但是同时也有增益低、噪声大，外围控制电路及热电制冷电路较复杂等缺点。 总的来说，比起国外目前的水平，我国在单光子探测领域还有较大差距。 ;3、真空雪崩光电二极管（VAPD）单光子探测器 ;VAPD单光子探测器是一种PMT和APD相结合的产物，具有许多PMT和APD无法比拟的优点。 其主要特点有：低噪声、动态范围大、分辨率高、抗磁干扰能力强、探测光谱范围宽等特点。 这种单光子探测器的出现，对人们探索高技术领域将起到积极的推动作用。 ;单光子探测器的现状及其发展;在850nm波段，考虑到光电倍增管工作电压很高和使用维护的复杂程度，在实际应用中人们还是选用Si-APD雪崩光电二极管。 现在对Si的研究已经趋于成熟，Si－APD也已经有了比较好的制造工艺。 国外已经有公司开发出了专门针对850nm单光子探测的商用Si-APD。;在1310nm和1550nm波段， Si-APD已经不能用于进行单光子探测了，因此在这两个波段一般选用InGaAs-APD， 但由于制造工艺的问题，目前还没有专门针对单光子探测的InGaAs-APD。 国外对这两个波段的单光子探测的报道，一般都是关于利用现有针对光纤通信的商用APD，通过优化外围驱动电路，改善工作环境，使其达到单光子探测的目的。;目前人们对单光子探测器将主要从两个方面去研究， 一方面，研制和开发有高灵敏度新型结构的光探测器， 另一方面，研究和改进探测器的外围控制驱动技术，利用现有的探测器进行单光子探测。 光子成像技术 下面以光电倍增管为例，介绍光子计数器的原理与方法。;§5.1 光子计数器中的光电倍增管 ;1 光电倍增管的工作原理 ;2 倍增极结构与渡越时间 ;直列聚焦式光电倍增管的结构如图所示。它的倍增极的形状具有特定的弧形，它的这种弧形结构可形成一个聚焦电场，使前级的二次发射电子能准确地射到本倍增极的中央。 另外，还采取了一些附加措施，用以抑制空间电荷效应，因此这种结构的光电倍增管其渡越时间离散Δτ很小，渡越时间τ也较小。 若将其光阴极也制成曲面形状，则这种管子最为适宜作光子计数器使用。 ;3 光电倍增管的增益与二次电子发射系数 ;设某一倍增极的入射电子数为N1， 在N1的激发下，产生的二次电子数