Lec模电第三重点.ppt

模拟电子技术 3.3.3 二极管模型 4. 小信号模型 二极管上的电压（或二极管中电流）仅在一较小范围内发生变化时所建立的模型称为小信号模型 将二极管I?V特性近似为以Q点为切点的一条直线，其斜率的倒数就是小信号模型的微变电阻rd 3.3.3 二极管模型 4. 小信号模型 Q点切线的斜率 （电导）： 由 且满足vD VT 26mV 得 （常温下，T 300K） Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 解： 先直流后交流 直流通路 交流信号源短路 二极管用恒压降模型代替 直流工作情况： VD 0.7V ID （5-0.7）V/5K 0.86mA VO （5-0.7）V 4.3V 交流通路 直流信号源短路 二极管用小信号模型代替 交流工作情况： rd VT/ID 26mV/0.86mA 30Ω 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路 3.5 特殊二极管 3 二极管及其基本电路 3.4.1 整流电路 3.4.2 限幅电路 3.4.3 开关电路 3.4 二极管基本电路 3.4.1 整流电路 1. 半波整流 二极管采用理想模型时，负载上的平均电压 ? 0.45Vs 二极管中的整流电流 二极管承受的最大反向电压 3.4.1 整流电路 1. 半波整流 采用恒压降模型时 u1 u2 T D3 D2 D1 D4 RL uo RL io 在 u 的正半周， D1 和 D3 导通，D2 和 D4 截止 相当于开路 电流的通路如图中红色箭头所示。 D4 D3 D2 D1 ~ + u ? + uo ? + – RL D4 D3 D2 io D1 在 u 的负半周，D2 和 D4 导通， D1和 D3 截止 相当于开路 ，电流的通路如图中绿色箭头所示。 ~ + u ? + uo ? + – 在一个周期内，通过电阻的电流方向相同，在负载上得到的是全波整流电压 uo。 u2 uo ?t ? 2? 3? 4? 0 ？两个二极管，是否可以实现全波 整流？ 正极 负极 交流 输入 3.4.1 整流电路 2. 桥式整流 3.4.1 整流电路 2. 桥式整流 二极管采用理想模型时，负载上的平均电压 ? 0.9Vs 二极管中的整流电流 二极管承受的最大反向电压 3.4.1 整流电路 3.4.2 限幅电路 3.4.3 开关电路 3.4 二极管基本电路 3.4.2 限幅电路 理想模型结果 恒压降模型结果 理想模型 恒压降模型 3.4.1 整流电路 3.4.2 限幅电路 3.4.3 开关电路 3.4 二极管基本电路 3.4.3 开关电路 例 二极管开关电路如图3.4.6所示。利用二极管理想模型求解：当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值。 0 0 0 5 导通 导通 截止 截止 0 5 0 5 vI2/V 导通 截止 导通 截止 0 0 5 5 D2 D1 vO/V 二极管工作状态 vI1/V 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路 3.5 特殊二极管 3 二极管及其基本电路 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 光电子二端器件 *3.5.3 变容二极管 3.5.4 肖特基二极管 3.5 特殊二极管 电路符号 I?V特性 反向击穿时的模型 利用二极管反向击穿特性实现稳压。齐纳二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 3.5.1 齐纳二极管 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路 3.5 特殊二极管 3 二极管及其基本电路 3.2.1 PN结的形成 3.2.2 PN结的单向导电性 3.2.3 PN结的反向击穿和电容效应 3.2 PN结的形成及特性 1. 载流子的漂移与扩散 3.2.1 PN结的形成 漂移运动： 在电场作用下引起的载流子运动 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子运动 2. PN结的形成 3.2.1 PN结的形成 多数载流子的扩散 少数载流子的漂移 3.2.1 PN结的形成 2. PN结的形成 3.2.1 PN结的形成 P型区和N型区的交界处存在自由电子和空穴的浓度差异，导致载流子的扩散运动，结果使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子；使N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子，从而形成了空间电荷区，并产生了内电场，这就是所谓的PN结。 2. PN结的形成 3.2.1 PN结的形成 内电场将阻止多数载流子的继续扩散而促进少数载流子的漂移，从而对空间电荷区产生相反的影响。当漂移运动和扩散运动相等时，空间电荷区便处于动态平衡状态。 空间电荷区也称为耗尽层、势垒区。 3.2.1 PN结的形