LED原理演进和发展重点.pptVIP

LED的原理、演进和发展;LED的原理; LED发光二极管是由III-IV族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，起核心是PN结。因此它具有一般P-N结的特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带与介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。;1．极限参数的???义 （1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的 电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 （2）最大正向直流电流Ifm：允许加的最大的正向直流电流。 超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值， 发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。 低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效 率大大降低。;（1）光谱分布和峰值波长： 某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。;（2）发光强度IV： 发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指 其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上的辐射强度为 （1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般 LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 （3）光谱半宽度Δλ: 它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两 波长之间隔.;（4）半值角θ1/2和视角： θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为视角（或称半功率角）;（5）正向工作电流If： 它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用 中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 （6）正向工作电压VF： 参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。 一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF 在1.4～3.5V。在外界温度升高时，VF将下降。;（7）V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。;LED的演进和发展;传统5mmLED的芯片 由于LED本身的折射率大于外部空气或环氧树脂的折射率，LED所产生的光线大部分被半导体与外部的界面全反射回到半导体的内部，全反射的光线被活性层本身、电极与基板所吸收。因此外部的LED外部的发光效率远低于内部量子效率。;1998年;光;静电保护装置;Luxeon 1W LED封装结构;年份 ;单位：百万美元; 2003年6月17日，国家半导体照明工程协调领导小组以视频会议形式，召开了第一次会议，标志着科技部会同有关部门共同组织实施的“国家半导体照明工程”正式启动。 科技部高新司李健司长在会议报告中指出：“与人类生活息息相关的照明产业正在发生着重大变革，半导体照明灯正在逐步取代传统的白炽灯，世界年增长率在20%以上。发光二极管(LED)具有节能、长寿命、免维护等优点，美、日、欧及我国台湾省均推出了半导体照明计划。中国拥有巨大的照明市场需求，是世界第一大照明电器生产国，世界第二大照明器具出口国，在半导体LED关键技术上，与国外差距不是很大，因此，发展半导体照明工程是非常重要而迫切的。”; 谈起国家半导体照明工程，李健介绍说，半导体照明工程实施总体思路是坚持以政府引导、企业为主体，市场化运作的原则，政府制定政策，营造良好的发展环境，发挥各省市地方和企业的积极性，产学研结合联合攻关，同时注意产业链、芯片、外延和封装应用共同发展。加大外延发展力度，掌握核心技术。注意终端产品，先从特种产品做起，以汽车、城市景观照明作为市场突破口，把大功率、高亮度LED放在突出位置，它的成果将要服务于北京奥运会和上海世博会。协调领导小组主要职责是组织协调，对重大问题研究决策，服务于地方、企业和产业。科技部将安排8000万元资金启动一批急需上马的重大项目作为引导，地方、企业要共同参与投入。