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第1章 半导体器件的基本知识 1.1 半导体基本知识 半导体：导电能力介于绝缘体和导体之间的物质。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素，其中硅应用最广。 半导体的特性 1.1.2 N型半导体 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结的形成及单向导电特性 PN 结的形成 2、PN结的单向导电性 （1）加正向电压（正偏）—正极接P区，负极接N区 （2）加反向电压（反偏） —正极接N区，负极接P区 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场→空间电荷区变宽→多子扩散难以进行→少子在电场作用下形成反向电流 IR，称PN结处于高阻截止状态。 结论： PN结加正向电压（ P区电位高于N区电位）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； 1.2.2 二极管的基本结构 1.2.3 二极管的伏安特性 雪崩击穿：雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，反向击穿电压较高。 齐钠击穿：齐纳击穿发生在掺杂浓度较高的PN结中，反向击穿电压较低。 通常击穿电压在6V以下属于齐纳击穿；在6V以上主要是雪崩击穿。 1.2.4 二极管的主要参数 1、最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2、最高反向工作电压UR:二极管使用时允许加的最大反向电压（约为UBR 的一半）。 3、反向击穿电压UBR：指管子反向击穿时的电压值。 4、反向电流IR：管子加上反向电压时的反向电流值，其值越小，则管子的单向导电性越好。 二极管的分析方法 1. 理想模型 2．恒压降模型 例1 电路如图 a 所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V 1 试分别用理想模型和恒压降模型求UR的值。 2 当二极管VD反接，电路如图 b 所示，试分别用两种模型求UR的值。 例2 电路如图1.3.9所示，其中El＝7V，E2＝5V，E3＝6V，设二极管的导通电压0.6V。分别估算开关S在位置1和位置2的输出电压Uo的值。 1、钳位电路 如图设二极管均为硅管（UD 0.6V），当A、B的电位分别为以下组合时，UF ？ 承受正向电压较大者优先导通 2、限幅电路 例：设ui 10sinωtV，DZ为理想二极管，E 5V。求输出电压u0波形。 1.2.6 稳压二极管 例：两个硅稳压管，UZ1 6V，UZ2 9V，求各图中的U0 例：如图所示电路，稳压管的稳定电压UZ 5V，正向电压降忽略不计。求当输入电压为为交流 ui 10sinωt V，求u0的波形。 1.3 双极型三极管 1.3.1 晶体管的基本结构 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）简称晶体管（BJT） ，由两种载流子在其内部作运动 在模电中主要起放大作用，在数电中起开关作用。 1.3.2 晶体管的电流分配与放大原理 3、晶体管各极电流的分配关系： 例：用直流电压表测某一个三极管工作于放大状态，三极管的管脚电位U1 2.8V，U2 2.1V，U3 7V，判断其管脚及管型。 1.3.3 伏安特性曲线 （1）截止区 特点：IC βIB ； UC UB UE, UCE UBE （3）饱和区 条件：发射结正偏，集电结正偏。 特点： UCE ≤ UBE ， C与E之间相当于短路； IB变化，IC基本不变化，失去了控制作用； 临界饱和 IBS ICS /β,ICS ≈ UCC /RC 当晶体管饱和时，UCE≈ 0，发射极与集电极之间如同一个开关接通，其间电阻很小； 当晶体管截止时，IC ≈0，发射极和集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大。 可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关的作用。 判断三极管的工作状态方法： （1）根据UBE、UCE值来判别; UBE ≤0.5V ， UCE≈VCC，截止； UBE 0.7 UCE ， UCE≈0，饱和; UBE 0.7 UCE VCC，放大 （2）根据IB和IC值来判别; IB ≤0 ，截止； IC βIB ，放大； IB IBS ICS /β ，饱和区； （2）根据IB和IC值来判别; IB ≤0 ，截止； IC βIB ，放大； IB IBS ICS /β ，饱和区； 1.3.4 晶体管的主要参数 例：某一晶体管的PCM 100mW，ICM 20mA，U BR CEO 15V，在下列几种情况下哪一种能正常工作（ ）？ A．IC 15mA，UCE 10V B．IC 40mA，UCE 2V C．IC 10mA，UCE 14V D．IC 10mA，UCE 3V 1.4 光电器件 1.4.1 发光二极管 1.4.2 光敏二极管 1.4.3 光敏晶体管 1.5 绝缘栅场效应晶体管（自学） 1.5.