光纤通信第3章课件
第 3 章 通信用光器件
3.1 光源
3.2 光检测器
3.3 光无源器件
;第 3 章 通信用光器件;3.1光源; 3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构
激光,其英文LASER就是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(受激辐射的光放大)的缩写。半导体激光产生过程:; 1. 受激辐射和粒子数反转分布
电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式(见图3.1): ;(1)受激辐射
受激辐射是受激吸收的逆过程。 电子在E1和E2两个能级之间跃迁,吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件,即
E2-E1=hf12 (3.1)
式中,h=6.628×10-34J·s,为普朗克常数,f12为吸收或辐射的光子频率。
受激辐射:产生相干光,辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同。
自发辐射:产生非相干光,其频率和方向分布在一定范围内,相位和偏振态是混乱的。 ;(2)粒子(电子)数反转分布:
设在单位物质中,处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时,存在下面的分布:; 2. PN结的能带和电子分
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