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3.2 电阻应变式传感器 ;3.2.1 应变片的工作原理;金属导体的应变效应
金属导体在外力作用下发生机械变形时,其电阻值随着它所受机械变形 ( 伸长或缩短 ) 的变化而发生变化的现象。
根据电阻的定义式: ;
如果金属导体在外力作用下产生变化量?ρ、?l、?A时,其相对变化率为:
对于直径为D的圆柱形截面电阻丝,因为A=лd2/4;故:
由材料力学知,横向收缩 和纵向伸长 的关系为:
;由上页的公式得出:
下面分导体和半导体两种情况对上式进行讨论:
金属电阻应变片(按结构形式分)
丝式
箔式
薄膜式
半导体应变片
体型半导体应变片
薄膜型半导体应变片
扩散型半导体应变片;金属电阻应变片;金属电阻应变片常用的三种。
丝式:常用高电阻率的金属电阻丝制成,允许最大工作电流较小。
箔式:通过光刻、腐蚀等工序制成的一种很薄的金属箔栅,允许最大工作电流较大,灵敏度高。
薄膜式:是采用真空蒸镀技术在薄的绝缘基片上蒸镀上金属电阻材料薄膜,允许最大工作电流较大,灵敏度较高。
应变片电阻值通常有60、120、200、350、500、1000Ω几种,其中以120Ω为最常用。
允许最大工作电流是指通过应变片而不影响其工作的最大电流值。工作电流大,应变片输出信号就大,灵敏度高。允许最大工作电流与应变片的允许最大功耗有关,即:
通常允许最大工作电流 ,在静态测量时约取25mA左右,动态测量时可更高一些。;半导体应变片;上式中第一项是由几何形状变化而引起的电阻相对变化量,其值很小,约为1~2;第二项是由压阻效应引起的,其值约为第一项的50~70倍,故第一项可忽略。因此上式可写成
式中, 称为半导体应变片的灵敏度系数。
半导体应变片
突出的优点是灵敏度系数高,可测微小应变(一般600微应变以下);机械滞后小;动态特性好;横向效应小;体积小。
其主要缺点是:电阻温度系数大;一般可达10-3/℃;灵敏度系数随温度变化大;非线性严重;测量范围小。因此,在使用时需采用温度补偿和非线性补偿措施。;3.2.2 电阻应变传感器的测量电路;电桥测量电路的分析;1)单臂电桥
桥臂电阻中只有一个电阻为应变片,其余为固定电阻。
2 )对称电桥
对于电源左右两边对称,例如 产生纵向应变 , 产生横向应变 , 、 为固定电阻。因此得:
若 和 均是产生纵向应变的应变片, 和 是固定电阻,则
这种电桥称为半桥。 ; 3)非对称电桥
, ,如令 ,如 和 是产生不同应变的应变片, 和 是固定电阻,则
由上式可见,当 时,电压灵敏度 最高,式(3-32)与式(3-28)相同,对称电桥是非对称电桥的特例。
非对称电桥的优点是非线性误差较小。; 4)全等电桥
, 均为应变片,设 和 产生纵向应变 , 和 产生横向应变 ,则式(3-24)可写成:
这种情况称为全桥,其电压灵敏度最高,因此是最常用的一种桥路。 ;综上所述,可得出如下结论:
1)产生相同应变的应变片不能接在相邻的桥臂,否则桥路输出电压恒等于零。
2)提高电桥电压灵敏度除了上述提高供桥电压和选择高值的应变片外,可在 桥臂中分别串接产生相同应变的应变片 ,见图3-12。按全等电桥的条件,式(3-34)可写成:
;4)实际上,桥路输出电压与应变是非线性的。小时,非线性误差很小,可以忽略。
在使用半导体应变片测量较大应变时,非线性误差较大,必须进行补偿。
补偿方法有:
①采用高桥臂比的对称电桥;
②采用全桥测量电路;
③采用恒流源电桥;
④单臂电桥非线性严重,
可采用有源电桥,
见图3-13。 ;5)上述讨论假设负载电阻 ,实际上是不可能的。当 为有限值时,由于桥路有内阻,所以输出电压有所下降,此时可利用戴维南定理求其开路电压 与桥路的短路内阻 ,得其等效电路见图3-14。
由图可求出负载 两端电压为:
;额定载荷为4t的圆柱形电阻应变传感器,其展开图见图3-15。未受载荷时四片应变片阻值均是120Ω,允许功耗208.35mW,传感器电压灵敏度 ,应变片灵敏度系数 。
1)画出桥路接线图;
2)求桥路供桥电压;
3)载荷4t和2t时,桥
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