半导体制造技术期末复习重点.docxVIP

微电子期末复习 集成电路发展历史：1947年。贝尔实验室，点接触晶体管，1956年诺贝尔物理奖。 1948年 W. Shockley 提出结型晶体管概念 1950年 第一只NPN结型晶体管 1959年第一个集成电路 集成电路--将多个电子元件（晶体管、二极管、电容、 电阻、电抗等）集成到（硅）衬底上。 集成电路的制造步骤：1硅片制备2硅芯片制造（重点）3硅片测试/拣选4装配与封装5终测 关键尺寸(CD)：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 它是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，关键尺寸 越小，芯片的集成度越高，速度越快，性能越好。 摩尔定律：Moore 定律是在1965 年 由INTEL公司的Gordon Moore 提出的，其内容 是：硅集成电路按照4 年为一代，每代的芯片 集成度要翻两番、工艺 线宽约缩小30%，IC工 作速度提高1.5倍等发展 规律发展。 单晶硅：单晶硅，也称硅单晶，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。 1用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成 2纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等 3半导体市场中95%以上的半导体器