光刻工艺光刻胶重点.ppt

集成电路工艺光刻;光刻1、基本描述和过程2、光刻;光刻1、基本描述和过程2、光刻;光刻基本介绍光刻是通过一系列生;光刻三要素Used for p;光刻工艺流程;1、气相成底膜目的：增强硅片与;2、旋转涂胶涂胶工艺的目的就是;2、旋转涂胶常用涂胶法：静态旋;2、旋转涂胶 静态涂胶时;2、旋转涂胶 动态喷洒：;2、旋转涂胶 涂胶的质量要求;3、前烘目的：光刻胶中的溶剂部;4、对准和曝光对准是把所需图形;5、曝光后烘培 在曝光时;6、显影 显影就是用显影液;7、坚膜烘焙目的是通过溶液的蒸;8、显影检查目的是查找光刻胶中;光刻1、基本描述和过程2、光刻;光刻胶定义: 光;无标题;光刻胶的组成树脂：光刻胶树脂是;光刻胶的组成;光刻胶类型光刻胶根据其化学反应;waferPR掩模板氧化膜曝光;正光刻胶受光辐射后聚合物发生变;正光刻胶;正胶IC主导;负光刻胶聚合物被辐射后不溶于显;负胶;??影液不易进入正胶的未曝光部分;两种光刻胶的性能;两种光刻胶的性能正胶优点分辨率;DUV深紫外光刻胶传统DNQ胶;DUV胶化学增强的基本原理要求;EUV Lithography;Why EUVL?In ord;Figure 2: The r;Sources of EUV ;1、灵敏度 灵敏;2、分辨率 ;式中，Wmin 为最小尺寸，即;3、对比度 ;光进入光刻胶后，其强度按下式衰;一个与对比度有关的光刻胶性能指;感光度： 表征光刻胶对光线敏感;光刻胶的性能指标粘附性：光刻胶;光刻1、基本描述和过程2、光刻;显影显影就是用显影液去除已曝光;显影 将曝光后的硅片放到;显影缺陷:显影过度: 光刻胶;负光刻胶显影 当负性;正光刻胶显影 对于正;显影剂温度和曝光关系与线宽变化;显影方式显影方式静态浸渍显影 ;旋覆浸没显影;连续喷雾光刻胶显影;坚 膜在显影过程中，显影液;任何一次工艺过后都要进行检验，;光刻1、基本描述和过程2、光刻;高分辨率I-line 正性光刻;结果与讨论酚醛树脂选型比较实验;由图4 可见，1 号树脂样品刻;环保溶剂选型比较为了提高光刻胶;光敏剂分子结构选型比较实验所依;由图6 可见，不同接枝母体结构;光敏剂（PAC）与助剂添加量比;由表3 可知，PAC 用量越多;参考文献