半导体器件物理期末复习课件第二章、第三章.ppt

* 1：光照 光注入 2：电压 电注入 如何打破这种平衡产生非平衡载流子？ * 例如在一定温度下，当没有光照时，一块半导体中的电子和空穴浓度分别为n0和p0，假设是N型半导体，则n0p0，当用适当波长的光照射该半导体时，只要光子的能量大于该半导体的禁带宽度，那么光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子-空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子Δn，价带比平衡时多出一部分空穴 Δp，且Δn=Δp 。 在一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多。对于N型半导体，Δn远小于n0，Δp远小于n0，满足这个条件的注入称为小注入。 * 1.2.4 杂质半导体 理想的半导体晶体 实际应用中的 半导体材料 十分纯净 不含任何杂质 晶格中的原子严格按周期排列的 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动 并不是纯净的，而是含有若干杂质，即在半导体晶格中存在着与组成半导体的元素不同的其他化学元素的原子 晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷 * 杂质的填充方式 一）杂质原子位于晶格 原子间的间隙位置， 间隙式杂质； 二）杂质原子取代晶格 原子而位于晶格格点处， 替位式杂质。 间隙式杂质 替位式杂质 杂质浓度 单位体积中的杂质原子数，单位cm-3 * 两种杂质的特点 间隙式杂质 原子半径一般比较小。 替位式杂质 原子的半径与被取代的晶格原子的半径大小比较相近，且它们的价电子壳层结构也比较相近。 三/五族元素掺入硅和锗中形成替位式杂质 * 施主杂质和施主能级 硅中掺入磷（P）为例，研究Ⅴ族元素杂质的作用。当一个磷原子占据了硅原子的位置，如图所示，磷原子有五个价电子，其中四个价电子与周围的四个硅原子形成共价键，还剩余一个价电子。室温下，很容易脱离磷原子束缚，成为自由电子。磷原子成一个带有一个正电荷的磷离子（P+），称为正电中心磷离子。其效果相当于形成了一个正电中心和一个多余的电子。 * Ⅴ族元素杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而 产生导电电子并形成正电中心。 施主释放电子的过程称为施主电离。 施主杂质在未电离时是中性的，称为束缚态或中性态， 电离后成为正电中心，称为离化态。 施主杂质/N型杂质 电子型半导体/N型半导体 纯净半导体中掺入施主杂质后，施主杂质电离，使导带中的导电电子增多（电子密度大于空穴密度），增强了半导体的导电能力，成为主要依靠电子导电的半导体材料。 * 施主能级用离导带底Ec为ΔED处的短线段表示，施主能级上的小黑点表示被施主杂质束缚的电子。箭头表示被束缚的电子得到电离能后从施主能级跃迁到导带成为导电电子的电离过程。导带中的小黑点表示进入导带中的电子，⊕表示施主杂质电离后带 正电，成为不可移动的正点中心。 电子得到能量ΔED后，就从施主的束缚态跃迁到导带成为导电电子，被施主杂质束缚时的电子的能量比导带底Ec低ΔED，称为施主能级，用ED表示。由于ΔED远小于禁带宽度Eg，所以施主能级位于离导带底很近的禁带中。 * 受主杂质和受主能级 硅中掺入硼（B）为例，研究Ⅲ族元素杂质的作用。当一个硼原子占据了硅原子的位置，如图所示，硼原子有三个价电子，当它和周围的四个硅原子形成共价键时，还缺少一个电子，必须从别处的硅原子中夺取一个价电子，于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。硼原子成为一个带有一个负电荷的硼离子（B-），称为负电中心硼离子。其效果相当于形成了一个负电中心和一个多余的空穴。 * 受主杂质/P型杂质 空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离。 受主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态。 空穴型半导体/P型半导体 纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多（空穴密度大于电子密度），增强了半导体的导电能力，成为主要依靠空穴导电的半导体材料。 * 受主能级用离价带顶EV为ΔEA处的短线段表示，受主能级上的小圆圈表示被施主杂质束缚的空穴。箭头表示被束缚的空穴得到电离能后从受主能级跃迁到价带成为导电空穴（即价带顶的电子跃迁到受主能级上填充空位）的电离过程。价带中的小圆圈表示进入价带中的空穴，Θ表示受主杂质电离后带负电，成为不可移动的负点中心。 空穴得到能量ΔEA后，就从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴，被受主杂质束缚时的空穴的能量比价带顶EV低ΔEA，称为受主能级，用EA表示。由于ΔEA远小于禁带宽度Eg，所以受主能级位于价带顶很近的禁带中。 * 综上所述 掺入半导体， 分别成为 受主杂质 施主杂质 在禁带中引入了 新的能级，分别为 施主能级：比导带底低ΔED 受主能级：比价带顶高ΔEA 常温下，杂质都 处于离化态 施主杂质向导带提供电子而成为正电中心 受主杂