变温霍尔效应北京师范大学.doc

变温霍耳效应 实验日期：2013.11.11 指导老师：王亚非 【摘要】：本实验我们研究了样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化情况。利用液氮控制样品的温度，通过测量不同温度下的霍尔电压来计算出变温情况下的霍尔系数，画出温度80-300k范围内样品的曲线来研究禁带宽度、载流子浓度、迁移率本实验采用范德堡法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳电压、副效应电压以及霍耳系数随温度的变化。 【关键词】：霍尔效应 禁带宽度 迁移率 半导体 范德堡法 一、引言 1879年，霍尔在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用，直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机构(本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。 二、实验原理 1、半导体内的载流子 根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。 (1)本征激发:在本征半导体中的电子-空穴对的产生过程中，每产生一个电子，同时也产生一个空穴，所以，电子和空穴密度保持相等，即 ，称为本征载流子密度。本征载流子密度是指由半导体本身提供载流子，不受外来掺杂的影响，这种载流子的产生过程叫做本征激发。 (2)杂质电离:绝大部分的半导体材料都含有一定量的杂质，它们在常温下的导电性能，主要由杂质决定。由于半导体可以同时又电子和空穴，而且他们的浓度随样品不同和温度的变化，可以有很大的变化。从理论可知，电导率与导电类型和载流子浓度有关，当混合导电时 其中和分别表示电子和空穴的浓度，为电子电荷，和分别为电子和空穴的迁移率。图4为半导体电导率随温度变化的规律。 3、霍耳效应 (1)霍耳效应 霍耳效应是一种电流磁效应，如图5.当样品通以电流，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍耳电位差： (1) 与样品厚度成比，与磁感应强度和电流成正比。比例系数霍耳系数型半导体： (2) 型半导体： (3) 式中和分别是电子和空穴的电导迁移率，为霍耳迁移率，，它可以通过及计算得到。 (3)两种载流子导电的霍耳系数 在磁场作用下，电子和空穴本来都朝同一边积累，霍耳电场的作用是使它们中一个加强，另一个减弱，这样，使横向的电子流和空穴流大小相等，由于它们的电荷相反，所以横向的总电流为零。假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面，只考虑晶格散射及弱磁场的条件下，对于电子和空穴混合导电的半导体其中（ ）： （4） (4)P型半导体的变温霍耳系数 半导体内载流子的产生存在两种不同的机制：杂质电离和本征激发。因为两者需要的激发能不同，取决于所处的温度，因而霍尔系数将随温度的变化而变化。下面以P型半导体为例分四个温度范围讨论-T之间的关系。曲线如图5所示，此曲线包括以下四个部分： 1）杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。P型半导体中pn，在这个区域内，0。 2）温度逐渐升高时，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，b1，当温度升高到时，=0，如果取对数，就出现了图5中标有“b”的一段。 3）当温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，而使，随后将会达到一个极值。此时，价带的空穴数，可得到 （5） 式中为达到极值，是杂质电离饱和区的霍尔系数。由上式可以估算出电子迁移率与空穴迁移率的比值b。 4）当温度继续升高，达到本征激发范围内，载流子浓度远远超过受主的浓度，霍尔系数与导带中电子浓度成反比。因此，随温度的上升，曲线基本上按指数下降。由于此时载流子浓度几乎与受主浓度无关，所以代表杂质含量不同的各种样品的曲线都聚合在一起。 图5.p型半导体和N型半导体的曲线 4、实验中副效应及其消除 在霍耳系数的测量过程中，伴随着热磁副效应所产生的电位，叠加在测量值上，引起测量误差。采用范德堡法测量霍耳电压时，可以通过磁场换向和电流换向的方法消除。实验中通过磁场换向和电流换向测得四个电压值，每