固体物理学_半导体电子论之PN 结.pptVIP

07_06_PN 结 —— 半导体电子论 07_06 PN 结 PN结的构成 PN结的性质 —— 单向导电性 电流随电压变化特性 反向状态 正向状态 一部分是N型半导体材料 一部分是P型半导体材料 1 平衡PN结势垒 电子浓度 空穴浓度 —— N型半导体材料，杂质激发的载流子范围 电子的浓度远远大于空穴的浓度 费密能级在带隙的上半部，接近导带 P型半导体材料 —— 费密能级在带隙的下半部，接近价带 N型和P型材料分别形成两个区 —— N区和P区 N区和P区的费密能级不相等，在PN结处产生电荷的积累 —— 稳定后形成一定的电势差 P区相对于N区具有电势差 —— PN结势垒作用 正负载流子在PN结处聚集，内部形成电场 ——自建场 —— 势垒阻止N区大浓度的电子向P区扩散 平衡PN结 —— 载流子的 扩散和漂移运动相对平衡 —— 电场对于N区的电子和P区的空穴是一个势垒 —— 势垒阻止P区大浓度 的空穴向N区扩散 —— 抵消原来P区和N区电子费密能级的差别 P区电子的能量向上移动 —— 半导体中载流子 浓度远低于金属 且有 —— PN结处形成电荷 空间分布区域 约微米数量级 —— 扩散和漂移形成平衡电荷分布，满足玻耳兹曼统计 —— N区和P区空穴浓度之比