数字电路及设计实验.doc

常用数字仪表的使用 实验内容： 参考“仪器操作指南”之“DS1000操作演示TTL输出高电平2.4V，输出低电平0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V，输入低电平=0.8V。①输出高电平3.5V，电平0V的一个方波信号； ②信号频率1000Hz； 在示波器上观测该信号并记录波形数据。 集成逻辑门测试（含4个实验项目） （本实验内容选作） 一、实验目的 （1）深刻理解集成逻辑门主要参数的含义和功能。 （2）熟悉TTL与非门和CMOS或非门主要参数的测试方法，并通过功能测试判断器件好坏。 二、实验设备与器件 本实验设备与器件分别是： 实验设备：自制数字实验平台、双踪示波器、直流稳压电源、数字频率计、数字万用表及工具； 实验器件：74LS20两片，CC4001一片，500(左右电阻和10k(左右电阻各一只。 三、实验项目 1．TTL与非门逻辑功能测试 按表1-1的要求测74LS20逻辑功能，将测试结果填入与非门功能测试表中（测试F=1、0时，VOH与VOL的值）。 2．TTL与非门直流参数的测试 测试时取电源电压VCC=5V；注意电流表档次，所选量程应大于器件电参数规范值。 （1）导通电源电流ICCL。测试条件：输入端均悬空，输出端空载。测试电路按图1-1（a）连接。 （2）低电平输入电流IiL。测试条件：被测输入端通过电流表接地，其余输入端悬空，输出空载。测试电路按图1-1（b）连接。 （3）高电平输入电流IiH。测试条件：被测输入端通过电流表接电源（电压VCC），其余输入端均接地，输出空载。测试电路按图1-1（c）连接。 （4）电压传输特性。测试电路按图1-2连接。按表1-2所列各输入电压值逐点进行测量，各输入电压值通过调节电位器W取得。将测试结果在表1-2中记录，并根据实测数据，做出电压传输特性曲线。然后，从曲线上读出VOH，VOL，Von，Voff和VT，并计算VNH，VNL等参数。 图1-1 ICCL，IiL和IiH测试电路 图1-2 电压传输特性测试电路 表1-2 与非门电压传输特性测试表 Vi（V） 0 0.4 0.8 1.1 1.2 1.3 1.35 1.4 1.5 2.0 2.4 2.7 3.0 V0（V） （5）扇出系数NO。测试条件：所有输入端悬空，负载RL为可变电阻。测试电路按图1-3连接。调节RL，使输出电压VOL=0.4V，测出此时的IOL，再按下式： NO=IOl/IiL 求得NO。 3．平均延迟时间tpd的测试 现一般采用环形振荡器法测tpd，测试原理电路及波形如图1-4（a）和（b）所示。图1-4（a）中与非门1、与非门2为标准门的tpd1和tpd2是已知的（可预先在高精度的双踪示波器上测出），与非门（3）是被测门。三个与非门构成一个环形振荡电路。点（3）和点（3(）的波形是同一波形，由图1-4（b）可知，振荡波形的周期为： 图1-4 平均延迟时间测试电路及波形 T=tPHL1+tPHL2+tPHL3+tPLH1+tPLH2+tPLH3=2tpd1+2tpd2+2tpd3 （在一个振荡周期内每个门经过两次延迟时） 从数字频率计上可以读出振荡频率f（也可用示波器测出周期T），即可算出被测门的平均延时时间为： T=1/f=2(tpd1+tpd2)+2tpd3 tpd3=1/2f－(tpd1+tpd2) 或者 tpd3=T/2－(tpd1+tpd2) 4．CMOS或非门电路的测试（注意CMOS器件使用规则） （1）传输特性测量 ① 调节电位器W，选择若干个输入电压值，测量相应的输出电压值，然后由测得的数据作出曲线，并从曲线中求得VoH、VoL、Von和VoFF等参数值。注意，测量输出端的电压时，要选用高阻抗的直流电压表，最好用直流数字电压表。通常取Von为0.1VoH时对应的输入电平值，VoFF为0.9VOH对应的输入电平值。 ② 将两个输入端并联在一起，重复上述测试，比较两种情况下电压传输特性和噪声容限的差异。 ③ 测试电源电压的影响：将VDD依次调节至5V和15V，观察电路的逻辑功能以及输出高电平VoH值。 （2）逻辑功能测试 选CC4001按图1-5电路接线。断开与电位器W连接的输入端和接地输入端，在两个输入端分别送入表1-3中所列出的输入状态，测试其输出相对应的逻辑值。 五、预习要求 （1）阅读TTL与非门主要参数的含义及CMOS门电路的特点。 （2）熟悉CMOS电路和TTL电路的使用规则。 （3）设计实验电路，提出器件清单。 （4）拟定实验方案和调测步骤