模电第3章-2.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 线性电阻区, P沟道增强型MOSFET电流为： 联立求解，得 由于在电阻区需要满足 所以，应舍去第二组解，因此 3.2 FET工作状态分析及其偏置电路 接上例 (P75) * * 1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 2.场效应管除了与晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。 3.场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅-源电压可正可负。因此，场效应管比晶体管使用灵活。 4.场效应管是由多子参与导电；三极管则多子和少子同时参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大。因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强，在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 —— 场效应管的适用场合？ * * 3.3 场效应管放大电路 若输入为正弦量，上式可改写为 通常rds较大，rds对Id 的影响可以忽略，则 3.3.1 场效应管的低频小信号模型 rds很大 rds 是输出特性曲线在静态工作点上斜率的倒数(相当于晶体管的rce ), 其数值通常比较大, 可近似认为