洗磷SOP.ppt.ppt

  PSG工序标准作业流程 及注意事项 C1B-C 崔宝花 目录 洗磷插片sop 洗磷下料sop 4. 洗磷称重sop 5. 洗磷安全注意事项 6. 洗磷上料sop 3. 2. 刻蚀、洗磷的工作原理 1. 刻蚀、洗磷的工作原理 1. 刻蚀：扩散时硅片的边缘部分会扩散上磷，这一部分N半导体会使上下电极短路去除边缘PN结，防止上下短路。1、刻蚀不均匀不彻底 Rsh变小、FF变小、逆电流变大。2、过刻 正面导致外观不良和短路电流变小。 洗磷：在扩散过程中硅片表面形成一层含有P的二氧化硅叫做磷硅玻璃，利用HF可以溶解二氧化硅的特性进行去除。 氧化 3Si + 4HNO3 = 3SiO2 + 4NO + 2H2O 2. 去氧化物 SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O 3. 生成可溶络合物（HF过量） SiF4 + 2HF = H2SiF6 PSG的组成部分 M1+M2 M3 M5 M4 M6 M7+M8 load unload Edge Isolation Rinse Rinse Rinse+Dry PSG process KOH process 成分:HF+HNO3+