第三章半导体光电检测器件及应用三.ppt

外光电效应光电探测器件 第三章 半导体光电检测器件 及应用 利用外光电效应的光电探测器主要有真空光电二极管和光电倍增管。 一、真空光电二极管 ??? 真空光电管由玻壳、光电阴极和阳极三部分组成。为了防止氧化，将管内抽成真空。光电阴极即半导体光电发射材料，涂于玻壳内壁，受光照时，可向外发射光电子。阳极是金属环或金属网，置于光电阴极的对面，加正的高电压，用来收集从阴极发射出来的电子。 真空光电管构造示意图 特点：光电阴极面积大，灵敏度较高，一般积分灵敏度可达20～200μA/lm；暗电流小，最低可达10-14A；光电发射弛豫过程极短。 缺点：真空光电管一般体积都比较大、工作电压高达百伏到数百伏、玻壳容易破碎等。 真空光电二极管的探测极限： 在忽略背景噪声、暗电流和热噪声的情况下 其中暗电流噪声 ，散弹噪声和热噪声构成了总的噪声源。 二、 光电倍增管 光电倍增管( Photomultiplier , PMT )* 光电倍增管的结构：由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极五个主要部分组成。 1．光窗 光窗分侧窗式和端窗式两种，它是入射光的通道。一般常用的光窗材料有钠钙玻璃、硼硅玻璃、紫外玻璃、熔凝石英和氟镁玻璃等。 由于光窗对光的吸收与波长有关，波长越短吸收越多，所以倍增管光谱特性的短波阈值决定于光窗材料。 2．光电阴极 光电阴极多是由化合物半导体材料制作，它接收入射光，向外发射光电子。 光电倍增管光谱特性的长波阈值决定于光电阴极材料，同时对整管灵敏度也起着决定性作用。 3．电子光学系统 电子光学系统是适当设计的电极结构，使前一级发射出来的电子尽可能没有散失地落到下一个倍增极上，也就是使下一级的收集率接近于1；并使前一级各部分发射出来的电子，落到后一级上所经历的时间尽可能相同，即渡越时间零散最小。 4．倍增系统 倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。 倍增极材料大致可分以下四类： ?1）含碱复杂面主要是银氧铯和锑铯两种，它们既是灵敏的光电发射体，也是良好的二次电子发射体。 ?2）氧化物型，主要是氧化镁。 ?3）合金型，主要是银镁、铝镁、铜镁、镍镁、铜铍等合金。 ?4）负电子亲合势发射体。 这几类材料在低电压下有大的δ（发射系数,I2/I1）值，以便整管工作电压不致于过高；热发射小，以便整管的暗电流和噪声小；二次电子发射稳定，以便温度较高或一次电流较大时，长时间工作δ不下降；而且容易制备。 发射系数：将入射电子数增大为δ 倍的二次电子发射出去， δ称为发射系数。 所谓聚焦不是指使电子束会聚于一点，而是指电子从前一级倍增极飞向后一级倍增极时，在两电极间的电子运动轨迹，可能有交叉。非聚焦则是指在两电极间的电子运动轨迹是平行的。 5．阳极 ??? 阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。 ?光电倍增管的主要参量与特性是区分管子质量好坏的基本依据。分: 基本参数（静态参数）、应用参数（动态参数）、运行特性（例行特性）。 ?基本参数: 与管子工作原理、结构特征、材料性质、制造工艺有关。它包括灵敏度、量子效率、增益、暗电流、光谱响应等。 ?应用参数: 与管子应用方法和探测对象有关， 反映某种应用的特殊要求。 应用参数： 闪烁计数中的脉冲幅度分辨率、噪声能当量、计数坪特性；光子计数中的暗噪声计数、单电子分辨率、峰谷比；快速光脉冲测量中的上升时间、半高宽、渡越时间、时间分辨率等。 应用 P43图 3-35 光谱辐射仪 ?运行特性与管子运行条件、运行环境有关。它表征管子承受的外部条件和使用极限，包括稳定性、温度特性、最大线性电流、抗电磁干扰特性、抗冲击振动特性等。 主要技术指标 1.光谱响应范围和最大响应波长 下限：由窗口玻璃的材料决定 上限：由光阴极材料的逸出功决定。 2.灵敏度 ?倍增管灵敏度有阴极灵敏度与阳极灵敏度之分。每一种灵敏度对于入射光，又都有光谱灵敏度（对于单色光）与积分灵敏度（对于多色光或全色光）之分。 ?测试阴极灵敏度时，以阴极为一极，其它倍增极和阳极都连到一起为另一极，相对于阴极加100～300V直流电压，照射到光电阴极上的光通量约为10-2～10-5lm。 测试阳极灵敏度时，各倍增极和阳极都加上适当电压，因为阳极灵敏度是整管参量，与整管所加电压有关，所以必须注明整管所加电压。 积分灵敏度与测试光源的色温有关，一般用色温为2856K的白炽钨丝灯（A光源）。色温不同时即使测试