教学进度 第二讲 光电技术基础 半导体对光的吸收 物质对光吸收的一般规律 半导体对光的吸收 光电效应 内光电效应 外光电效应 光波入射到物质表面上,用透射法测定光通量的衰减时,发现通过路程dx的光通量变化dΦ与入射的光通量Φ和路程dx的乘积成正比,即 二、半导体对光的吸收( 1.5.2 ) 1、本征吸收 发生本征吸收的条件: 光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg,才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上,即 2 、杂质吸收 杂质吸收的长波限—— 3. 激子吸收 4. 自由载流子吸收 6.半导体各种吸收类型的总结: 光电效应 一、内光电效应 2. 光生伏特效应 3. 丹培(Dember)效应 4.光磁电效应 5. 光子牵引效应 二、 光电发射效应——外光电效应 本讲小结 物质对光吸收的一般规律 半导体对光的吸收类型: 本征、杂质、激子、自由载流子、晶格 光电效应对应的:本征和杂质 内光电效应 光电导效应(弱辐射时线性关系) 光生伏特效应(光电二极管反向偏置时电流与入射辐射的线性关系)——半导体图像传感器 外光电效应 金属材料 ——光电发射器件 * 图像传感器的概述 光电技术基础 光源 CCD图像传感器基本工作原理 典型面阵ICCD 视频信号处理及 计算机数据采集 图像传感器的典型应
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