第5章半导体激光器(LD)：静态特性_蓝色(全)导论.ppt

窄条形激光器：可获得单模输出； 宽条形激光器：往往是多模输出。 对F-P腔的改进主要是限制其横向尺寸，使其易获得单模输出。按照横向尺寸限制方式的不同，分为两类： Gain guided cavities (GGC：增益导引型光腔) Index guide cavities (IGC：折射率导引型光腔) 2) 增益导引型光腔 (GGC) 典型结构如“脊形”注入激光器 多窗口注入型“脊形”激光器 GGC型光腔的几个性质： 增益导引：在脊形区内，载流子浓度高，增益大； 增益较大的区域，折射率较高； 增益导引效应所导致的折射率变化较弱。 GGC光腔的局限性： 脊形区对电流限制作用较弱，激光器阈值电流较大； 横向尺寸对光波限制作用较弱，容易导致多模输出； 线宽较大； 输出曲线易形成弯折。 3) 折射率导引型光腔 (GGC) 外延技术：形成纵向的双异质结结构； 蚀刻及二次外延：形成横向的双异质结结构。 两个方向的双异质结结构，分别在纵向和横向上形成了对光波的较强的限制作用。从横截面上看，有源区被埋在周围限制层的里面，因而这种结构也叫做“掩埋式”异质结激光器。有源区与周围限制层材料之间的折射率差可达到0.2左右。 优点： 缺点： 制作工艺复杂 (2) 分布反馈式激光器(DFB: Distributed Feedback) F-P腔半导体激光器纵模间隔的另一种估算办法： 是相邻纵模之间的波长间隔，对于多模输出的F-P LD，总线宽可达2nm以上。 周期性光栅位于限制层，靠近有源区。 DFB激光器的优点： 温度稳定性好； 线宽窄； 易保持单模输出(静态及调制状态下) DFB半导体激光器芯片 用于发电站·? ?? ???严格监控各气体的成分比率： H2O, O2, CO, CO2, NH3, NO2等； 用于管道检测 　　天然气管道成分、泄漏检测。 用于太空研究 (3) 分布布拉格反射器型光腔(DBR: Distribution Bragg Reflector ) SEL型激光器的优缺点 优点： 阈值电流小，可以减小至亚毫安量级； 腔长小,可以减小至10um量级,易于制作光电集成电路(OEIC)。 缺点： 电流注入困难； 难以有效散热。 (5) 解理耦合腔型LD (C3LD: Cleaved Coupled Cavity Laser ) V. 先进激光器——电子特性的改进 激光器设计的目标： 低阈值电流； 高输出功率； 大调制带宽； 窄输出频谱； 其他特性(如满足特定使用需求所需波长：长波长、短 波长等)。 激光器在 两方面的改进 电子特性的改进 量子阱 应变量子阱 量子线 量子点 DFB, DBR 光栅结构 光子特性的改进 DBR结构的表面反射 微腔结构 能产生带隙的周期性介质层 1. 单异质结LD 有源层的一侧为同质结，另外一侧为异质结。 单异质结LD特点： 结构简单； 注入电流密度较高，Jth=103A-104A/cm2，仅比同质结LD的阈值电流密度低1个数量级，因所需注入电流较高，器件发热非常明显，无法在室温条件下发出连续的光波，以脉冲形式发光； 单异质结LD的两个限制层与中间的有源区之间形成了一种非对称光波导，对光子有一定的限制作用，使输出的光能更为集中； 输出功率较高。 2. 双异质结LD 有源层的两侧均为异质结，一侧为同型异质结，另一侧为反型异质结。 阈值电流密度大为下降，Jth大约为102-103A/cm2； 所需电流降低，器件发热小，可以在室温条件下连续发光； 相对于有源层材料，有源区两侧的限制层带隙大，但折射率低，因而对载流子和光波都有限制作用。即：利用带隙差形成势垒，将载流子限制在有源区；而两个限制层又形成对称光波导，将光场亦限制在有源区； 提高了注入效率，减小了漏电流。 3. 量子阱LD 有源层的两侧均为异质结，一侧为同型异质结，另一侧为反型异质结。 (1)量子阱物理基础 当有源层厚度可与电子的德布罗意波长相比较，甚至比后者更小时，有源层会出现明显的量子尺寸效应，造成能带分裂，形成一个个分离的子能带。此时有源层形成量子阱。 Quantum Size Effect (量子尺寸效应) Quantum Well (量子阱) (2)量子阱中的电子态 如图所示，量子阱中的电子，在z方向 上不能自由运动，即在此方向上失去了自 由度。但是电子在x方向和y方向上都是可 以自由运动的。因而电子在三维空间中， 失去了一个自由度，仅具备二维的自由 度。导体内部的大量电子，可以看成是弥 漫在半导体内部的、具备二维自由度的气 体，称为二维电