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此曲线表明,NBT压电陶瓷可以使用到高达550℃的温度。在20℃~100℃范围内,Nt和Kt的温度系数分别为-53×10-6/℃及+68×10-6/℃。因此铋层状结构压电陶瓷的温度稳定性是良好的。 老化特性见表7.2-3。SBT及NBT的Kt老化率与PbTiO3相近,但Nt的老化率较PbTiO3小一个数量级。因此,这种陶瓷可以制作频率稳定性很高的压电振子。 表7.2-3 材料 Nt老化率(%/十倍时间) Kt老化率(%/十倍时间) SBT +0.003 -0.10 NBT +0.006 -0.07 PbTiO3 +0.02 -0.1 综上所述,可以认为铋层状结构陶瓷是适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。当前的问题是压电性能还不够强,极化比较困难。压电效应弱的原因可能是由于自发极化转向受到二维局限之故,需采用新的烧结及极化技术,充分发掘这类材料的压电性能,则可在高温及高频领域得到广泛应用。 * 第七章 非钙钛矿型压电陶瓷材料 直到目前为止实用的压电陶瓷绝大多数都是钙钛矿型结构的。六十年代PZT系列的含铅钙钛矿陶瓷逐渐代替了BaTiO3为基的陶瓷。 为了满足对性能提出的各种新的要求(如高频使用要求低介电系数,高温使用要求高居里点、高温度稳定性等等),以及消除含铅材料的公害问题,人们对非钙钛矿型结构的铁电材料进行了开发性的研究。下面我们简单介绍钨青铜型结构和含铋层状结构的压电陶瓷材料。 一、钨青铜型铁电晶体的结构 钨青铜型铁电晶体的结构,是由氧八面体组成的,在(001)面上的投影图示于图7.1-1中。氧八面体之间为共角顶连接(这一点是和钙钛矿型结构相似的)。氧八面体之间形成三种类型的空隙:如图中的四边形A1,五边形A2和三边形A3。 §7-1 钨青铜型压电陶瓷 一个四方晶胞包括两个A1位置、四个A2位置、四个A3位置和十个氧八面体。八面体的中心位置为B,顶角为氧离子。 每个晶胞的化学式为(A1)2(A2)4(A3)4B10O30。或者说每个晶胞包括五个AB2O6形式的分子,A1、A2、A3三种位置为阳离子所占据,至于阳离子占据数目,则由电中性的要求决定。 分三种情况: 如偏铌酸铅PbNb2O6(即Pb5Nb10O30),只有五个铅离子Pb2+能占据(A1)2和(A2)4的位置,即只有5/6位置被占据。这种结构称为非填满型钨青铜结构。 如铌酸钡钠Ba4Na2Nb10O30,四个钡离子Ba2+和两个钠离子Na+分别占据 (A1)2和(A2)4中的六个位置。这种结构称为填满型钨青铜结构。 例如铌酸锂钾K6Li4Nb10O30,六个钾离子K+和四个锂离子Li+分别占据(A1)2、(A2)4和(A3)4中十个位置,这种结构称为完全填满型钨青铜结构。 为得到填满型或完全填满型,常采用: 一价阳离子取代部分二价阳离子 或者用四价阳离子取代部分铌离子Nb5+ 以增加阳离子数目,使空隙填满或完全填满。 二、钨青铜型结构的压电陶瓷 (1)、PbNb2O6陶瓷 PbNb2O6在居里点以上是四方晶系。a=12.56?,c=3.925?。 在居里点(570℃)以下变为斜方晶系,晶胞体积增大四倍。晶格常数为a=17.63? ,b=17.93 ?,c=7.736?自发极化的方向沿b轴。 偏铌酸铅PbNb2O6压电陶瓷的特点是: (1)居里点高(570℃),而且在接近居里点的高温时仍无明显的退极化发生; (2)压电系数的各向异性大,d33/d31≈10; (3)机械品质因数Qm特别低,Qm≈11; (4)其烧成时的PbO平衡蒸气压很低。烧成时的失铅问题基本上不需考虑。 还存在PbNb2O6的同质异构相(菱面体相)a=7.176?,α=93o52‘,它不是铁电体。在室温下非铁电相菱面体是稳定的,铁电斜方相是亚稳定的,在1235℃发生可逆的两者的相互转变。 当温度低至560℃时如果长时间加热,铁电相→非铁电相。反之,如果烧成温度足够高并且采取快速冷却,很容易得到铁电相结构。 PbNb2O6陶瓷的典型性能如下: Kp=0.07,K31=0.045,K33=0.38,?33T/?0=225,d33=85×10-12库/牛,d31=-9×10-12库/牛,g33=42.5×10-3伏米/牛,g31=-4.5×10-3伏米/牛,ρ=6.0克/厘米3,泊松比σ=0.26,Qm=11。 偏铌酸铅陶瓷可用于超声换能器,特别是由于其Qm很低,正适合超声缺陷验测换能器的要求,因为这有助于得到清晰的波形。 (2)、PbNb2O6-BaNb2O6系统 以Ba2+置换Pb2+首先使斜方畸变降低,进而将它改变为四方结构。极化轴由斜方的b轴改变为四方相的c轴。 在居里温度上下都是四方晶系结构。但在居里点晶胞参数
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