改6半导体结型光电器件解析.ppt

第06章 半导体结型光电器件 利用半导体光伏效应制作的器件称为光伏探测器，也称结型光电器件。 PN结受到光照时，可在PN结的两端产生光生电势差，这种现象则称为光伏效应。 光伏效应： 结型光电器件： 简称PV（Photovoltaic）探测器 结型光电器件 简称PV（Photovolt） 单元器件 线阵器件 四象限器件 结型器件和光电导器件的主要区别 产生光电变换部位不同 光敏电阻：任何部位 结型器件：结区及其附近 外加电压不同 光敏电阻：加偏压，无极性要求 结型器件：加偏压则有极性要求；也可不加 响应速度不同 光敏电阻：慢（取决于载流子产生与复合速度） 结型器件：快（取决于载流子漂移运动） 内增益不同 光敏电阻：大 结型器件：光电三极管、雪崩二极管内增益大 第06章 半导体结型光电器件 6.1 结型光电器件的原理 6.2 常用结型光电器件 6.3 结型光电器件组合器件 6.4 结型光电器件的偏置电路 6.1结型光电器件的原理 光照下的PN结电流方程及伏安特性 电流方程 伏安特性 伏安特性 第一象限：普通二极管，光电流被扩散电流淹没 ，不能用作光电探测器 伏安特性 第三象限：光电导模式 反偏 光电二极管 工作区域 光电导模式可以减小载流子的渡越时间和二极管的极间电容，有利于提高器件的响应灵敏度和响应频率。 第四象限：光伏模式 零偏 光电池 工作区域 伏安特性 光伏模式暗电流为零 伏安特性 光电二极管 光电池 普通二极管 等效电路 电流源 普通二极管 开路电压Uoc和短路电流Isc I=0（负载电阻RL→∞），光伏探测器两端的电压称为开路电压 U=0（负载电阻RL=0），流过光伏探测器称为短路电流 第06章 半导体结型光电器件 6.1 结型光电器件的原理 6.2 常用结型光电器件 6.3 结型光电器件组合器件 6.4 结型光电器件的偏置电路 6.2 常用结型光电器件 6.2.1 硅光电池 6.2.2 硅光电二极管 6.2.3 硅光电三极管 6.2.4 PIN光电二极管 6.2.5 雪崩光电二极管 用途分类： －－主要功能是作为光电探测用，光照特性的线性度好 太阳能光电池 测量光电池 －－主要用作电源，转换效率高、成本低 (Solar Cells) 6.2.1 硅光电池 材料分类： 硒、氧化亚铜、硫化铊、硫化镉、锗、硅、砷化镓等 结构： 电极：多做成梳齿壮，目的 减小串联电阻和便于透光 SiO2层：增透，防潮 2DR：Ｐ型硅作基底，Ｎ型薄膜为受光面 2CR：Ｎ型硅作基底，Ｐ型薄膜为受光面 等效电路 硅光电池电流方程 伏安特性 －－表示不同照度下，输出电流和电压随负载电阻变化的曲线 无外加偏压 （自偏压） 照度—电流电压特性 照度—负载特性 负载小，线性范围大 线性变坏 光谱特性 长波限：取决于材料的禁带宽度Eg． 短波响应度下降原因： 1.等能量曲线，短波光子数少 2.在表面附近全被吸收，复合率高 频率特性 光伏探测器频率特性一般由电路时间常数决定 光电导探测器频率特性一般由载流子寿命决定 要获得快速响应,要使τ小: ①使用小的负载; ②选用小面积光电池 光电倍增管频率特性一般由电路时间常数决定 若光电池接收正弦型光照时常用频率特性曲线表示 综上，负载的选择： ①RL小：线性好　 ②RL小：频响提高 ③RL小：输出电压低（运放输出） 温度特性 光电池的温度特性是指光照下光电池开路电压Voc与短路电流Isc随温度的变化情况 温度过高会致使半导体晶格破坏，注意强光照射及散热 入光面高掺杂且薄，基底轻掺杂： 透光 结区宽，以保证吸收更多的入射光 结区多在基底,光生载流子大多产生于结区,省去扩散时间 6.2.2 硅光电二极管 结构： （Photodiode，简称PD） 衬底材料掺杂浓度较低； 光电池，1016~1019原子数/厘米3(自身消耗能量小)。 硅光电二极管：1012~1013原子数/厘米3 (结区大) 电阻率较高； 结区面积小（结电容小，C=S/d）； 频率响应快，受光面积小（电流uA量级） 光电池受光面积大（电流mA量级） 通常多工作于反偏置状态； 比较：光电二极管与光电池 科16 表面漏电流 SiO2中的杂质正离子使P区形成反型层，反型层是漏电流形成的通道 2DU：环极的电位高于前极，大部分漏电流从环极流向后极，不再流过负载RL 2DU： 无表面漏电 2CU： 输出电路 6.2.3 硅光电三极管 －－又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT） 光电三极管在电子线路中的符号 硅光电三极管既具有光电二极管的作用，又具有普通晶体三极管的电流放大作用，因而它内增益大，输出光电流大 电极：有三根引线的，也有二根引线的． 光电三极管的结构和普