计算机组成原理第4章_1存储器.pptVIP

第４章 存 储 器 4.1 概述 4.2 主存储器 4.3 高速缓冲存储器 4.4 辅助存储器 4.1 概 述 一、存储器分类 1. 按存储介质分类 1 半导体存储器 2 磁表面存储器 3 磁芯存储器 4 光盘存储器 易失 TTL 、MOS 磁头、载磁体 硬磁材料、环状元件 激光、磁光材料 非 易 失 1 存取时间与物理地址无关（随机访问） 顺序存取存储器 磁带 4.1 2. 按存取方式分类 2 存取时间与物理地址有关（串行访问） 随机存储器 只读存储器 直接存取存储器 磁盘 可 读 可 写 只 读 磁盘、磁带、光盘 高速缓冲存储器（Cache） Flash Memory 存 储 器 主存储器 辅助存储器 MROM PROM EPROM EEPROM RAM ROM 静态 RAM 动态 RAM 3. 按在计算机中的作用分类 4.1 SDRAM DDR Double Data Rate SRAM DRAM MRAM （磁性随机储存） PRAM （Phase-Change RAM） FRAM Ferroelectric memory 高 低 小 大 快 慢 辅存 寄存器 缓存 主存 磁盘 光盘 磁带 光盘 磁带 速度 容量 价格 位 ／ 1. 存储器三个主要特性的关系 二、存储器的层次结构 CPU CPU 主机 4.1 缓存 CPU 主存 辅存 2. 缓存 主存层次和主存 辅存层次 缓存 主存 辅存 主存 虚拟存储器 10 ns 20 ns 200 ns ms 虚地址 逻辑地址 实地址 物理地址 主存储器 4.1 （速度） （容量） 4.2 主存储器 一、概述 1. 主存的基本组成 存储体 驱动器 译码器 MAR 控制电路 读 写 电 路 MDR 读 写 2. 主存和 CPU 的联系 MDR MAR CPU 主 存 读 数据总线 地址总线 写 4.2 高位字节 地址为字地址 低位字节 地址为字地址 设地址线 24 根 按 字节 寻址 按 字 寻址 若字长为 16 位 按 字 寻址 若字长为 32 位 字地址 字节地址 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 8 4 0 字节地址 字地址 4 5 2 3 0 1 4 2 0 3. 主存中存储单元地址的分配 4.2 224 16 M 8 M 4 M 2 存储速度 4. 主存的技术指标 1 存储容量 3 存储器的带宽 主存 存放二进制代码的总位数 读出时间 写入时间 存储器的 访问时间 存取时间 存取周期 读周期 写周期 连续两次独立的存储器操作 （读或写）所需的 最小间隔时间 位/秒 4.2 多体并行结构 存取周期 位 存取周期 100ns,16b,带宽 ？ 芯片容量 二、半导体存储芯片简介 1. 半导体存储芯片的基本结构 译 码 驱 动 存 储 矩 阵 读 写 电 路 1K×4位 16K×1位 8K×8位 片选线 读/写控制线 地 址 线 ? 数 据 线 ? 地址线 （单向） 数据线 （双向） 10 4 14 1 13 8 4.2 二、半导体存储芯片简介 1. 半导体存储芯片的基本结构 译 码 驱 动 存 储 矩 阵 读 写 电 路 片选线 读/写控制线 地 址 线 ? 数 据 线 ? 片选线 读/写控制线 （低电平写 高电平读） （允许读） 4.2 CS CE WE （允许写） WE OE 存储芯片片选线的作用 用 16K × 1位 的存储芯片组成 64K × 8位 的存储器 32片 当地址为 65 535 时，此 8 片的片选有效 8片 16K × 1位 8片 16K × 1位 8片 16K × 1位 8片 16K × 1位 4.2 0,0 15,0 15,7 0,7 读/写控制电路 地 址 译 码 器 字线 0 15 16×8矩阵 0 7 D 0 7 D 位线 读 / 写选通 A 3 A 2 A 1 A 0 2. 半导体存储芯片的译码驱动方式 1 线选法 4.2 0 0 0 0