微切片31.doc

微切片制作（三十一） 3.19? 胶渣有余辜 ?由于FR-4环氧树脂的Tg约在1300C左右，而钻孔时钻针与板材强力摩擦所产生的温度甚高，又因玻纤树脂与碳化钨（Tungsten Carbide）均为不良导体，故所累积的热量常使得孔壁瞬间温度高达2000C以上，如此一来不免使得部份树脂被软化而成为胶糊，随着钻针的旋转而涂满孔壁，各内孔环的侧铜面也自不能幸免，冷却后变成胶渣(Smear)，形成了后来孔环与铜壁在“互连”(Interconnection)方面的障碍，这就是名气很大业内人尽皆知，由Smear所造成的“Separation”。 ?此一无法避免的故障在镀通孔(PTH)之前必须将之除尽，才能让多层板在电性上拥有起码导通品质。不过IPC-6012在3.6.2.6节中对此制程也明文规定，那就是：过份除胶渣所造成的回蚀深度的不可超过1mil。 ?除胶渣制程数十年来一直为PCB业者所重视，国内厂商们更在这方面拥有极多的量产经验。然而以主机板为例，每片平均要钻5000孔，大排板湿制程连线处理时难免偶有闪失。以湿式或化学氧化法清除孔壁上的胶渣，从早年的浓硫酸法、重铬酸法，到目前的“膨松+高锰酸钾”法，堪称各种配方都已发挥到了极致，在历经多年的磨练后，现埸的分析与管控技术也都找到了方向，那就是严密监视槽液，在其即将出问题不堪使之前，当机立断更换槽液以保证应有的良率。如此一来真正的胶渣的故障已经不多了。以下就是偶而发现的典型故障照片，特挑选其中之精采者说明于后： ? ? 图1.左二500X以低光率较长时间曝光所得之照相，可见到左图内层孔环与孔壁之间，确有未除尽的残余胶渣存在。右图的微蚀效果甚好，其环与壁之间呈现一种“虚无空洞”的情形，很可能两铜之间原本是相互卸接的，但因其附着力不够强固，在孔壁镀铜层的内应力影响下又被拉开了。这应属于“后分离”(Post-Separation))最早出现的一类，至少要是局部分离。 通孔直立切片上出现这种故障，并不表示其孔壁与内环间已出现“整圈性”(Circumferential)的分离，此隐藏之真相可从本手册首篇“微切片技术介绍”的图14中得以认清，不过在“可靠度”(Reliability)方面仍不无瑕疵。右1000X更暗的画面中可再进一步看清“并非胶渣”的证据，而且从现埸显微中去观察，比照片更能 清楚的自我说明，根本无需在此絮絮赘言。 ?? 图2.前图先行镀上的铜壁又被拉开之说法并非臆测，本处左图200X放大情形下已可看清楚。右500X画面则更为精采，甚至可以大胆的说是一面镀一面不断的拉开，这种“动态”自我证明，若无良好的微切片与摄影技术，如果能据以服人？上述现象是源自孔铜的内应力力于对铜箔环侧之附着力所致。 ? 图3.左为500X切片之明视照片，可隐约看到孔环与孔壁之间的Separation有点像是“空虚”的裂沟，是否为胶渣颇有疑问，但其铜壁并无浮离的拉开微象。右500X暗视图仍无法有力证明为胶渣。此时不能只看相片的分身，必须详细观察物之“本尊”，或进一步再做水平切片才不致误判。 ? 图4.上左为重铬酸过镀除胶渣造成孔壁表面的树脂全部溶出，其缩陷造成断点整齐的玻纤束竞相突出的奇景。右为400X所摄良好除胶渣之高画质镜头。 ?? 图5.左1000X所见到孔环与孔壁之间颜色较深厚度均匀的窄沟，其实这只是厚化铜层，并非胶渣所造成的Separation，后者不会那么规律整齐的。 右50X画面为未做除胶渣的双面板(板材由八张7628的胶片所组成)，其孔铜壁经喷锡后退即出现了罕见的严重拉离(Pull Away)。 ? 图6.作业中不够锐利的钻针其温度高达2000C 以上，不但使得铜箔孔环被推挤而成钉头，且所加诸的高热量，甚至造成铜箔组织的回火轫化而再结晶(Recry stallization)，以致原本柱状结晶的条纹画面竟然变成“非结晶”的平滑组织。此一有趣现象若非刻意指出，一般人多半都不了解。上二图接近孔壁表面的铜箔，因受到钻孔的高热致玫使结构与原本柱状组织完全不同。 图7.通孔直立切片上看到的不管是原本就存在的胶渣(Smear)分离，或是后续高温中才发生的分离，甚至互连处部份夹杂物或分离等，IPC-6012在表3-7中对Class2的板类也规定一律不能允收。上左500X图面之分离与右500X之明视与暗视以及1000X画面均不能过关。 ??? 图8.左200X尚未微蚀的通孔垂直切片，一看就知道是胶渣未除所带来的ICD(Interconnection Defect)若再加微蚀则徵状更为明显，右50X之水平切片上也可看到孔环铜壁之间的黑色宽窄不一的界沟，那也是清除未尽的胶渣，最下一环是所镀的锡铅层，早期还需要“炸油”称为熔锡板。 ?? 图9.此二200X漂锡孔所出现孔铜与内环的拉裂，当然是出自两