晶体缺陷7实际晶体中的位错技术分析.pptVIP

b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”。 b 等于单位点阵矢量的整数倍的为“全位错” b 不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错” 若堆垛层错发生在部分区域，则层错边缘将存在位错(不全位错) 扩展位错：通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位错 a/6[-211]和a/6[-1-12]两个不全位错之间的夹角为60度，它们之间有一斥力，因相斥而分开，中间夹着一片层错，两不全位错加它们中间的层错，便是扩展位错。 两个不全位错之间的宽度d―扩展位错宽度 层错能 层错给予两个不全位错一个吸力 不全位错又存在一个斥力 层错能与扩展位错宽度的关系 　成反比： γ大，d小；γ小，d大。 　如奥氏体不锈钢γ=1.31*10-5J/cm2，d有几十~上百个原子宽度；Al的γ很高，d仅有1-2个原子间距，观察不到。 形成束集所需之能量 不全位错间距缩小 束集附近位错形成弧线增加了应变能 因为位错线增长而增加的能量 不同金属的扩展位错的平衡宽度不同，束集能也各异，夏克和西格测得铝和铜的束集能是： Al: γ刃=0.21eV γ螺=0.11eV Cu: γ刃=3.9eV γ螺=0.84eV 金属层错能愈低，扩展位错宽度愈大，束集愈困难，交滑移愈难。反之层错能愈高，易于交滑移。 由此可以解释FCC金属形变过程中的许多现象。 例如奥氏体不锈钢，