微机原理存储管理和高速缓存技术浅析.ppt

第4章 存储器、存储管理和高速缓存技术 4.1 存储器和存储器件 4.1.1 存储器的分类 存储器根据用途和特点可以分为两大类： (1) 内部存储器，简称为内存或主存 快速存取 容量受限制 (2) 外部存储器，简称为外存 容量大 速度慢 半导体存储器的分类 4.1 存储器和存储器件 4.1.2 微型计算机内存的行列结构 字节为基本单位 常用单位有KB、MB、GB和TB 1KB＝1 024B 1MB＝1 024KB 1GB＝1 024MB 1TB＝1 024GB 32行×32列矩阵和外部的连接 4.1 存储器和存储器件 4.1.3 选择存储器件的考虑因素 ① 易失性 ② 只读性 ③ 存储容量 ④ 速度 ⑤ 功耗 4.1.4 随机存取存储器RAM 主要特点: 既可读又可写 分类： RAM按其结构和工作原理分为： 静态RAM即SRAM 动态RAM即DRAM SRAM和DRAM  SRAM 速度快 不需要刷新 片容量低 功耗大 DRAM 片容量高 需要刷新 刷新的方法 DRAM控制器功能： ① 时序功能 ② 地址处理功能 ③ 仲裁功能 DRAM控制器的原理图 4.1.5 只读存储器ROM ROM的特点： 只许读出 不许写入 ROM器件的优点 ： 结构简单，所以位密度高。 具有非易失性，所以可靠性高 ROM的分类 根据信息的设置方法，ROM分为5种 ： 掩膜型ROM MOS型 双极型 可编程只读存储器PROM 可擦除可编程只读存储器EPROM 可用电擦除的可编程只读存储器E2PROM 闪烁存储器（flash memory） 闪烁存储器的特点： 非易失性 可靠性 高速度 大容量 擦写灵活性 4.2 存储器在系统中的连接 4.2.1 存储器和CPU的连接考虑 ① 高速CPU和较低速度存储器之间的速度匹配问题。 Tw ② CPU总线的负载能力问题。 总线驱动器 ③ 片选信号和行地址、列地址的产生机制。 片选 字选 存储器的寻址方法 存储器芯片与CPU地址总线连接时，要根据内存的地址分配连接，以实现CPU在某一时刻只能唯一地选中某一内存单元，这称为寻址。 要完成寻址功能必须进行两种选择：首先要选择存储器芯片，这称为片选。 然后再从该芯片中选择出某一存储单元，这称为字选。 4.2 存储器在系统中的连接 4.2.2 存储器芯片片选信号的构成方法 ： 全译码法 部分译码法 线选法 特点 简单 地址可能重叠 地址不连续 部分译码法 全译码法 SRAM的连接举例 4.2.3 DRAM和DRAM控制器的使用举例 4.2.4 存储器的扩充 在微机系统中，需要的存储器容量常常比单个芯片的容量大，所以需要扩充： （1）存储器容量的扩充体现在两方面： 数据宽度的扩充 字节数的扩充 （2）数据宽度扩充和字节数扩充的方法 4.2.4 存储器的扩充 数据宽度的扩充：当使用的存储器芯片单元数目符合要求，但每单元的位数较少时，需要进行这种扩充。例如，使用 (1K×1)扩充1KB存储系统，就需要进行位扩充。 4.2.4 存储器的扩充 例：用2012(1k×1位)组成1K×8位RAM 4.2.4 存储器的扩充 数据宽度扩充的方法 各芯片的数据线分别接到数据总线的各位上 各芯片的地址线并接在一起，连到相应的地址总线各位； 各芯片的控制线并接在一起，连到相应的控制线上 4.2.4 存储器的扩充 练习：用2114(1k×4位)组成1K×8位RAM 4.2.4 存储器的扩充 扩充存储器的字节容量：当使用的存储器芯片位数符合要求，但单元数目较少时，需要进行这种扩充。例如，使用6264(8K*8)扩充24KB存储系统，就需要进行字扩充。 选择以下芯片，将其扩充为24KB 4.2.4 存储器的扩充 扩充存储器的字节容量的方法： 将各存储芯片片内地址线、数据线、读/写控制线并联，接到相应的总线上； 将地址线的高位送地址译码器产生片选信号，接各存储芯片的CS端，以选择芯片。 练习：利用以下芯片(4K)扩充到16KB 字位同时扩充的连接：上述两种方式的结合 小型存储器设计的一般步骤： （1）根据系统实际装机存储容量，确定存储器在整个存储空间中位置。 （2）选择合适的存储芯片。 ①根据系统性能指标要求选择芯片类型（RAM或ROM）与型号。 ②确定芯片数量：若存储容量为M×N位，所用芯片容量为L×K位，则系统字、位同时扩展需（M/L）×（N/K）个芯片。 （3）画地址位图。即按系统所提供地址总线对所设计存储空间进行地址编码，分出低位地址线选择片内各单元，高位地址线确定片选择译码逻辑