第6章存储器与可编程器件.pptVIP

　　PGM和PGM为编程信号，编程时，PGM接收宽度为50～55 ms、幅值为5 V的正脉冲，PGM接收宽度为50～55 ms、幅值为5V的负脉冲；  　　VPP为编程电压，在编程写入时，VPP=+25V，在正常读出时，VPP =+5 V； 　　VCC为工作电压，接+5V；  　GND为地。 图6.2.7 Intel 27XX系列EPROM芯片的引脚排列 表6.2.3 Intel 2716在不同工作方式下相应引脚的状态 　　2. 电擦除可编程只读存储器（E2PROM） 　　E2PROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）的主要特点是既可以在线改写，又能在断电情况下保存数据，也是采用浮栅编程原理。它的存储单元采用Flotox（Floating gate tunned oxide）管[CD*2]浮栅隧道氧化层MOS管，图7.2.8所示为Flotox管的结构示意、 图形符号及其构成的存储单元。图6.2.8（c）中，V1为Flotox管，V2为选通管。 图6.2.8 Flotox管及其存储单元 （a） 结构示意； (b) 图形符号； （c） 存储单元 　　Flotox管与SIMOS管相似，也是由浮栅上有无负电荷决定存储1或0。不同之处仅在于Flotox管的浮栅与漏极之间有一层很薄的氧化层区域，其厚度在200 μm以下，称之为隧道区。当隧道区电场强度大于107 V/cm时，在漏极和浮栅之间会出现导电隧道， 使电子可以双向通过，这种现象称为隧道效应。 隧道效应使Flotox管可以方便地实现电写入和擦除。  　　写入操作如下：如果欲使该单元存1，可使Wi=1，Bj=0, 则V2管导通，V1管漏极接近地电位。这时，在V1管的Gc上加＋20 V左右，脉宽约10 ms的脉冲电压，就会产生隧道效应，使漏区内的电子在电场力的作用下注入浮栅。脉冲过后，浮栅上的电子就会保留下来，形成负电荷。 读出时， Gc上所加＋3 V将不会使V1管导通， 存储单元存1。 　　擦除操作如下：使Wi＝1，则V2管导通；在Bj上加＋20 V左右，脉宽约10 ms的脉冲电压，且使Gc＝0，则V1管的浮栅和漏极之间就会产生隧道效应，使浮栅上的电子通过隧道区放电。 读出时,Gc上所加＋3 V将会使V1管导通，存储单元存0。 ? 　　为了使擦写更方便，有些芯片内有升压电源，擦写时只需＋5 V电源即可。E2PROM典型芯片有2 K×8的2816/2817、 2816A/2817A，8 K×8的2864A。 2816A/2817A和2864A的擦写是在+5 V电源下完成的，片内集成有升压电源；而2816/2817靠外加21V到VPP引脚进行擦写。 　　图6.2.9给出了2816A和2817A的引脚排列图，表6.2.4和表6.2.5分别是它们在不同工作方式下相应引脚的状态。 图6.2.9 2816A/2817A E2PROM引脚排列 (a) 2861A引脚排列； (b) 2817A引脚排列 表6.2.4 2816A在不同工作方式下相应引脚的状态 表6.2.5 2817A在不同工作方式下相应引脚的状态 　　2817A比2816A多一个写入结束联络信号——RDY/BUSY。在擦写操作期间，RDY/BUSY为低电平; 当字节擦、写完毕时，RDY/BUSY为高电平，这使2817A每写完一个字节就向CPU请求中断（或被CPU查询），来继续写入下一个字节，而在写入过程中数据线D0～D7为高阻状态，不会影响CPU的工作。 　　3. 快闪式存储器 　　这是20世纪80年代问世的新一代电擦写可编程ROM，简称闪存。 它结构简单，编程可靠，擦写快速，集成度高，也是采用浮栅编程原理。它的存储单元由叠栅MOS管构成。  　　图6.2.10（a）、(b)所示为叠栅MOS管的结构示意图和图形符号。 它与SIMOS管相似，所不同的是浮栅与衬底之间的氧化层厚度比SIMOS管薄，SIMOS管的氧化层厚度为30～40 nm， 而叠栅MOS管仅为10～15 nm。而且浮栅与源区的重叠部分由源区的横向扩散而成，面积极小，形成隧道区的电容也很小， 所以，当控制栅和源极之间加电压时，大部分电压将降落在浮栅与源极之间的电容上。 　　图6.2.10（c）所示为快闪式存储器的存储单元。VSS端为低电平。  　　写入操作如下：将需要写入1的叠栅MOS管的漏极经位线接一较高的正电压（一般为＋6 V）， VSS接低电平，在控制栅（即字线）加一个幅度为＋12 V左右、脉宽约为10μs的正脉冲。这时，漏、源极之间将产生雪崩击穿，部分电子穿过氧化层到达浮栅并保留下来。此时，叠栅MOS管的开启电压为＋7 V。 读出时，当字线上加正常的