1章半导体二极管及其基本电路答案.pptVIP

二、二极管的恒压源模型 uD iD UD(on) 当二极管的工作电流较大时，在一定范围内，二极管的端电压基本不变。 它的特点是只有当管子两端正向电压超过导通电压UD(on)时，二极管才导通。导通后管子两端电压为常数UD(on)（具有恒压性质），通过管子的电流则由电路中的电源电压和电阻决定。否则，不导通，电流为0。显然这与实际特性更为接近。 uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) 三、二极管的微变信号模型（或交流小信号模型） 如果在二极管电路中，除直流信号外，再引入微小的变化（交流）信号，则二极管的工作状态将在直流工作点Q附近作微小的变动。 因此引入动态交流电阻rD来等效在Q点附近的交流量的变化。结果表明，动态电阻并非一定值，而是随工作点的变化而变化。 例 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压源模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 UD(on) [解] VDD = 2 V时 理想 恒压源 理想 恒压源 VDD 大， 采用理想模型 VDD 小， 采用恒压降模型 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 时 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) UO = 10 ? 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) UO = VDD = 10 V 1.3半导体二极管的应用 利用二极管的单向导电特性，可实现整流、限幅及电平选择等功能。这里着重介绍限幅电路。 “限幅”是指限制电路的输出幅值。输入信号的波形经限幅电路后，只有其中的一部分传输到输出端，其余部分则被限制而消失了。在模拟电子电路中，常用限幅电路来减小和限制某些信号的幅值，以适应电路的不同要求，或作为保护措施。在脉冲电路中，常用限幅电路来处理信号波形。限幅作用是利用非线性器件实现的，二极管可用来组成简单的限幅电路。限幅电路中的二极管一般都工作在大电流范围，所以可采用二极管的恒压源模型来分析电路的工作原理。 一、串联限幅电路 串联限幅电路如图所示。因为二极管VD与负载电阻串联，所以叫串联限幅电路。 二、并联限幅电路 P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 2.外加反向电压(反向偏置) P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。 IR PN 结：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 为什么？ 漂移运动加强形成反向电流 - + 正向电流是多子扩散引起，因此很大；而反向电流 是少子漂移所致，因此很小。 且少子数目有限，它并不总是随外加反向电压增大 而增大，外加电压达到一定值时，所有少子都参与 了导电，反向电流达到饱和。 这一反向电流称为反向饱和电流，记作IS。 注意！反向饱和电流是本征激发的少子形成的，所以 随温度变化而急剧变化！ 综上所述，PN结在正偏时容易导电，反偏时几乎不导电，这就是PN结的单向导电性。 三、PN 结的伏安特性及其表达式 反向饱和电流 温度 电压当量 电子电量 玻尔兹曼常数 当 室温T = 300(27°C)K时： UT≈ 26 mV O u /V I /mA 正向特性 反向击穿 加正向电压时 加反向电压时 i≈–IS 四、 PN结的击穿特性 由图看出，当反向电压超过UBR后，稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，并定义UBR为PN结的击穿电压。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。 O u /V I /mA 正向特性 反向击穿 UBR 1、雪崩击穿 在低掺杂的PN结外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生新的电子、空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对，使少子数量急剧增多，反向电流急剧