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第5章 氧化工艺 第5章 氧化工艺 本章（4学时）目标： 第5章 氧化工艺 一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（**） 3、二氧化硅膜的作用（*****） 4、二氧化硅膜的厚度（**） 5、氧化膜的获得方法（****） 二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（***） 2、热氧化生长方法（****） 3、热氧化系统和工艺（***） 三、氧化膜检验方法 第5章 氧化工艺  一、旧事重提 1、氧化工艺的定义 2、二氧化硅的结构 2、二氧化硅的结构 硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为250埃。 如果需要得到更厚的氧化层，必须在氧气气氛中加热。 硅的氧化反应是发生在Si/SiO2界面，这是因为：Si在SiO2中的扩散系数比O的扩散系数小几个数量级。 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 4、二氧化硅膜的厚度 5、二氧化硅膜的获得方法 第5章 氧化工艺 一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（**） 3、二氧化硅膜的作用（*****） 4、二氧化硅膜的厚度（**） 5、氧化膜的获得方法（****） 二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（***） 2、热氧化生长方法（****） 3、热氧化系统和工艺（***） 三、氧化膜检验方法 第5章 氧化工艺  二、氧化膜的生长方法 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 自然氧化层 迪尔－格罗夫模型在薄氧化层范围内不适用。 在薄氧化阶段，氧化速率非常快，其氧化机理至今仍然存在争议，但可以用经验公式来表示。 由于薄氧化阶段的特殊存在，迪尔－格罗夫模型需要用τ来修正。 硅（100）晶面干氧氧化速率与氧化层厚度的关系 薄氧阶段的经验公式 其中：tox为氧化层厚度；L1和L2是特征距离，C1和C2是比例常数。 硅的氧化系数 计算在120分钟内，920℃水汽氧化（640Torr）过程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状态时已有1000埃的氧化层。 温度：氧化速率随温度升高而增大。 气氛：掺氯气氛增加氧化速率。 气压：氧化速率与氧化剂分压成正比。 硅衬底掺杂：一般情况下硅中的掺杂会增加氧化速率。 硅片晶向：硅原子密度大的晶面上氧化速率大，R(111)R(110)R(100)。 温度的影响分析 对于抛物线速率常数B，温度的影响是通过扩散系数D体现的。具体表现在干氧和水汽氧化具有不同的激活能，这是因为干氧和水汽在硅中的扩散激活能不一样。 对于线性速率常数B/A，温度的影响则主要是通过反应速率常数Ks体现的。具体表现在干氧和湿氧具有相同的激活能，这是因为干氧和水汽氧化本质上都是硅－硅键的断裂，具有相同的激活能。 氯气氛的影响分析 在氧化气氛中加入氯可以使SiO2的质量得到很大的改善，并可以增大氧化速率，主要有以下方面： 钝化可动离子，特别是钠离子； 增加硅中少数载流子的寿命； 减少中的缺陷，提高了抗击穿能力； 降低界面态密度和固定电荷密度； 减少硅中的堆积层错。 氧化剂分压的影响分析 A与氧化剂分压无关，而B与氧化剂分压成正比。 通过改变氧化剂分压可以达到调整SiO2生长速率的目的，因此出现了高压氧化和低压氧化技术。 硅片晶向的影响分析 B与晶向无关，因为分压一定的情况下，氧化速率与氧化剂在SiO2中的扩散系数D有关，而SiO2是无定形的，所以扩散具有各向同性。 A与晶向有关，因为反应速率常数严重依赖于硅表面的键密度。显然，（111）晶面的键密度大于（100）晶面，所以（111）晶面上的氧化速率最大。 掺杂的影响分析 硅中常见杂质如硼、磷，都倾向于使氧化速率增大。 对于硼来说，氧化过程中大量的硼进入到SiO2中，破坏了SiO2的结构，从而使氧化剂在SiO2中的扩散能力增强，因此增加氧化速率。 对于磷来说，虽然进入SiO2的磷不多，但在高浓度时，高浓度磷掺杂会改变硅的费米能级，使硅表面空位增多，从而提供了额外的氧化点，增加了氧化速率。 氧化诱生层错是热氧化产生的缺陷，它通常存在于Si/SiO2界面附近硅衬底一侧。 产生原因：氧化过程中产生硅自填隙点缺陷，这些点缺陷凝聚起来，在（111）面内形成层错。 减少层错的措施：a)磷、硼掺杂引入晶格失配缺陷作为点缺陷的吸收源；b)